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K3461-S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,110A,RDS(ON),4.5mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.8Vth(V) 封装:TO252\n适用于需要中等功率、中等电流的电子系统,如电源管理、LED驱动和工业控制等领域的模块中。
供应商型号: K3461-S-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3461-S-VB

K3461-S-VB概述


    产品简介


    N-Channel 60V (D-S) 175°C MOSFET 是一种高性能的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用先进的沟槽技术制造。此产品具有低热阻、高可靠性的特点,适用于多种电力转换和控制应用。广泛应用于电源管理、电机驱动、汽车电子等领域。

    技术参数


    基本参数
    - 最大漏源电压(VDS):60V
    - 额定连续漏电流(ID):97A(TC=25°C),56A(TC=125°C)
    - 最大脉冲漏电流(IDM):290A(单脉冲)
    - 工作温度范围:-55°C 至 +175°C
    - 最大功耗:136W(TC=25°C),45W(TC=125°C)
    电气特性
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):
    - VGS = 10V:0.0050Ω(ID = 25A)
    - VGS = 10V,TJ = 125°C:0.0117Ω(ID = 25A)
    - VGS = 10V,TJ = 175°C:0.0149Ω(ID = 25A)
    - VGS = 4.5V:0.0120Ω(ID = 20A)
    - 输入电容(Ciss):4844pF 到 6060pF
    - 输出电容(Coss):441pF 到 555pF
    - 反向转移电容(Crss):200pF 到 250pF
    - 门极电荷(Qg):82nC 到 125nC
    - 开启延迟时间(td(on)):14ns 到 21ns
    - 上升时间(tr):58ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):41ns 到 62ns
    - 下降时间(tf):7ns 到 11ns

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:该MOSFET在多个电压下都表现出非常低的RDS(on),确保了高效的能量转换和较低的损耗。
    - 宽工作温度范围:能够在极端温度环境下稳定工作,使其适用于工业和汽车电子领域。
    - 高可靠性:通过严格的质量测试,确保了在各种恶劣条件下的长期稳定性。
    - 高电流能力:能够处理大电流,适用于需要大功率输出的应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    该MOSFET可用于开关电源、逆变器、电机驱动、太阳能发电系统等多种电力转换应用中。例如,在逆变器中,它可以作为高频开关元件,实现高效能的能量转换。
    使用建议
    - 在选择合适的工作电压和电流时,需注意不要超过其额定值,以避免过载损坏。
    - 对于高温环境下的应用,考虑其RDS(on)的变化,可能需要更频繁地进行散热管理。
    - 在使用过程中,建议定期检查其工作状态,确保长期稳定运行。

    兼容性和支持


    该MOSFET的封装为TO-252,适合于大多数标准电路板安装。制造商提供了详尽的技术支持和保修服务,如有疑问可随时联系其客服热线 400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何确认产品是否正常工作?
    解决方案:可以使用万用表检测其RDS(on)值是否在规格范围内,或者通过检测其输出波形来判断其工作状态。
    问题2:在高温环境中使用,应注意什么?
    解决方案:确保其安装位置有足够的散热措施,如添加散热片或风扇。同时,应监测其工作温度,避免长时间过热导致损坏。

    总结和推荐


    总体来看,N-Channel 60V (D-S) 175°C MOSFET 是一款出色的功率器件,具备高可靠性、宽工作温度范围和低导通电阻的特点。非常适合用于各类电力转换和控制应用中。对于需要高效能转换且在恶劣条件下工作的场合,此产品是一个理想的选择。强烈推荐给相关领域的工程师和设计师。

K3461-S-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.8V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
配置 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 110A
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 4.5mΩ@10V,15mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K3461-S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3461-S-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3461-S-VB K3461-S-VB数据手册

K3461-S-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 2.9798
2500+ ¥ 2.8502
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型号 价格(含增值税)
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