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UT7401L-AE3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nVBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。\nVDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
供应商型号: UT7401L-AE3-R-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT7401L-AE3-R-VB

UT7401L-AE3-R-VB概述

    P-Channel 30V MOSFET UT7401L-AE3-R 技术手册解析

    1. 产品简介


    UT7401L-AE3-R 是一款P沟道30V(D-S)MOSFET,属于TrenchFET®功率MOSFET系列。它具有极低的导通电阻(RDS(on)),适用于移动计算领域的负载开关、笔记本适配器开关和DC/DC转换器等应用。

    2. 技术参数


    | 参数 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | - | 30 | V |
    | 栅源阈值电压 | -0.5至2.0 V |
    | 零栅压漏电流 | - | 1 | µA |
    | 导通状态漏电流 | - | 5.6 | A |
    | 导通状态电阻 | 0.046 | 0.054 | Ω |
    | 输入电容 | 1295 pF |
    | 输出电容 | 150 pF |
    | 反向转移电容 | 130 pF |
    | 总栅电荷 | 11.4至36 nC |
    | 转换时间td(on) | 13至42 ns |

    3. 产品特点和优势


    UT7401L-AE3-R 的主要特点如下:
    - 高可靠性:100% Rg测试。
    - 低导通电阻:确保较低的功耗。
    - 宽温度范围:能够在-55°C至150°C的环境中稳定运行。
    - 快速响应:较低的栅电荷使得开关速度更快。
    这些特点使其在多种应用场景中表现出色,尤其适合于需要高效能和可靠性的应用场合。

    4. 应用案例和使用建议


    - 笔记本电脑电源管理:作为负载开关,有助于降低系统功耗。
    - DC/DC转换器:在电源管理模块中实现高效能的能量转换。

    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,建议采取适当的散热措施以保持最佳性能。
    - 确保电路设计合理,避免因瞬态电流导致过热损坏。

    5. 兼容性和支持


    该产品与常见的SOT-23封装电子元器件兼容。厂家提供全面的技术支持和服务热线400-655-8788,为用户提供详尽的技术咨询和售后服务。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关时温升过高 | 使用外部散热器以提高散热效果 |
    | 增益过低 | 检查是否达到规定的最低栅压 |
    | 无法启动 | 检查栅极信号是否正常,确保足够的栅极驱动强度 |

    7. 总结和推荐


    UT7401L-AE3-R 具备出色的导通性能和高可靠性,非常适合用于移动计算和高效率电源管理系统。综合其优秀的特性和广泛的应用场景,强烈推荐此产品。无论是研发工程师还是系统集成商,在选择合适的P沟道MOSFET时,都可以将这款产品作为首选之一。

UT7401L-AE3-R-VB参数

参数
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 47mΩ@10V,56mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 5.6A
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT7401L-AE3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT7401L-AE3-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT7401L-AE3-R-VB UT7401L-AE3-R-VB数据手册

UT7401L-AE3-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
80+ ¥ 0.3493
300+ ¥ 0.3234
500+ ¥ 0.3105
3000+ ¥ 0.2975
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型号 价格(含增值税)
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