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K1266-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,200V,20A,RDS(ON),90mΩ@10V,100mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:TO220F\n由于其高漏极-源极电压和较大的漏极电流容量,可用于开关电源、逆变器和DC/DC转换器等电源模块,实现稳定高效的电能转换。
供应商型号: K1266-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1266-VB

K1266-VB概述

    K1266-VB N-Channel 200V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K1266-VB 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),专为高频开关应用设计。其主要特性包括表面贴装和平面低轮廓通孔两种安装方式,适用于各种电路设计。产品广泛应用于电源管理、电机控制、汽车电子以及工业自动化等领域。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 电压等级:200V(漏源电压 VDS)
    - 电流等级:20A(脉冲漏极电流 IDM)
    - 电阻等级:0.058Ω(漏源导通电阻 RDS(on),栅源电压 VGS=10V)
    - 电容参数
    - 输入电容 Ciss:1300pF
    - 输出电容 Coss:430pF
    - 反向传输电容 Crss:130pF
    - 动态参数
    - 总栅极电荷 Qg:70nC
    - 栅源电荷 Qgs:13nC
    - 栅漏电荷 Qgd:39nC
    - 开关时间
    - 开启延迟时间 td(on):14ns
    - 上升时间 tr:51ns
    - 关闭延迟时间 td(off):45ns
    - 下降时间 tf:36ns
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 VDS:200V
    - 栅源电压 VGS:±20V
    - 连续漏极电流 ID:20A(TC=25°C)
    - 单脉冲雪崩能量 EAS:580mJ
    - 雪崩电流 IAR:20A
    - 最大峰值温度 Tstg:-55°C 至 +150°C
    - 热阻参数
    - 最大结到环境热阻 RthJA:40°C/W(PCB 安装,稳态)
    - 最大结到外壳热阻 RthJC:0.1°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 无卤素材料:符合 IEC 61249-2-21 定义标准,环保可靠。
    - 快速开关性能:具备出色的动态开关特性,适用于高频开关应用。
    - 完全雪崩额定值:增强可靠性,适合严苛的应用环境。
    - 符合 RoHS 规定:满足环保要求,符合欧洲 RoHS 指令。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例
    - 在电源管理模块中用于控制输出电压,提供稳定可靠的电流调节。
    - 在电机驱动系统中作为功率开关元件,实现高效转换。
    - 使用建议
    - 选择合适的栅极驱动电阻,以确保快速且准确的开关操作。
    - 考虑 PCB 布局,避免引入过多寄生电感,以减少电磁干扰。


    5. 兼容性和支持


    - 兼容性
    - 与常见的 SMD 和 THD 封装兼容,便于不同设计需求的集成。

    - 支持
    - 提供详细的技术资料和技术支持服务,帮助客户更好地理解和应用产品。
    - 保修政策及技术支持联系方式:400-655-8788

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何确定合适的栅极驱动电压?
    - A: 推荐栅极驱动电压为 10V,以确保良好的开关性能和低损耗。
    - Q: 如何防止过热?
    - A: 确保良好的散热措施,如使用散热片或强制风冷,以保持结温在安全范围内。
    - Q: 雪崩特性如何影响应用?
    - A: 由于其高雪崩额定值,可以在短时过压情况下正常工作,提高系统的可靠性。

    7. 总结和推荐


    K1266-VB N-Channel 200V MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元器件,特别适用于需要高频开关的应用场合。其无卤素、快速开关、完全雪崩额定值等特点使其在市场上具有显著的竞争优势。鉴于其出色的表现和多种应用场景,我们强烈推荐使用这款产品。如果您有任何疑问或需要进一步的技术支持,请联系我们的客户服务团队,电话:400-655-8788。

K1266-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 20A
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 90mΩ@10V,100mΩ@4.5V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1266-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1266-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K1266-VB K1266-VB数据手册

K1266-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
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500+ ¥ 5.795
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