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K3437-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: K3437-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3437-VB

K3437-VB概述

    K3437-VB 功率 MOSFET 技术手册

    产品简介


    K3437-VB 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),它具备极低的导通电阻 (Ron) 和栅极电荷 (Qg),适用于多种工业应用及电源管理系统。该产品主要用于服务器和电信电源供应系统、开关模式电源供应系统(SMPS)、功率因数校正电源供应系统(PFC)以及照明控制(如高强度放电灯和荧光灯)。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):最大650V
    - 连续漏极电流 (ID):最高25°C时为4A,100°C时为10A
    - 漏极-源极导通电阻 (RDS(on)):在25°C时小于4Ω
    - 总栅极电荷 (Qg):最大值为178nC
    - 输入电容 (Ciss):100pF
    - 输出电容 (Coss):57pF
    - 反向传输电容 (Crss):4.0pF
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):97mJ
    - 最大耗散功率 (PD):2.5W
    - 热阻 (RthJA):63°C/W
    - 工作温度范围:-55°C 到 +150°C
    - 栅极-源极电压 (VGS):±30V

    产品特点和优势


    K3437-VB 功率 MOSFET 具有以下几个显著的特点和优势:
    1. 低开关损耗:由于具有较低的栅极电荷 (Qg) 和输入电容 (Ciss),其在高频开关应用中表现出色。
    2. 超低导通电阻:RDS(on) 的值在低至 4Ω 以下,适合高效率的应用场合。
    3. 高可靠性:具备高的雪崩耐受能力和安全操作区域,能够应对瞬态高压情况。
    4. 紧凑封装:采用 TO-220 FULLPAK 封装,易于安装和散热。

    应用案例和使用建议


    K3437-VB 功率 MOSFET 广泛应用于电源管理系统,例如在服务器和电信设备中作为电源转换器的核心组件。它同样适用于照明控制系统,特别是需要处理高电流和高电压的应用场景,如高强度放电灯和荧光灯。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,应注意监测温度,确保不会超过最高工作温度限制。
    - 高频开关应用时,要注意电感负载带来的影响,合理配置外部电路以减少寄生电感。
    - 使用多颗 MOSFET 并联可以进一步降低导通电阻,提高整体效率。

    兼容性和支持


    K3437-VB 功率 MOSFET 与大多数标准电源系统兼容,可轻松集成到现有设计中。制造商提供详细的技术支持和售后服务,包括在线技术支持和电话咨询服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 开关过程中出现过高的振铃现象。
    - 解决方案: 在 MOSFET 的栅极和源极之间并联一个小电容(如 10nF),以减小振铃。

    - 问题: 设备在高温下工作不稳定。
    - 解决方案: 改善散热措施,如增加散热片或使用强制风冷。

    总结和推荐


    K3437-VB 功率 MOSFET 在多个关键参数上表现优异,尤其适合高效率、高频开关和高可靠性的应用场景。其出色的开关特性和低导通电阻使其成为电源管理和照明控制领域的理想选择。基于上述特性,强烈推荐在相关项目中使用此产品。如果您对产品的具体使用有任何疑问,欢迎联系我们的服务热线 400-655-8788 或访问 www.VBsemi.com 获取更多信息和技术支持。

K3437-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 10A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3437-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3437-VB数据手册

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K3437-VB封装设计

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