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KMB054N40DC-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,85A,RDS(ON),4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.85Vth(V) 封装:TO252适用于中等功率控制和驱动应用,包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。
供应商型号: KMB054N40DC-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KMB054N40DC-VB

KMB054N40DC-VB概述

    KMB054N40DC N-Channel MOSFET 技术手册解析



    产品简介




    KMB054N40DC 是一款N沟道4-V(D-S)MOSFET,由台湾VBsemi公司制造。这种晶体管采用TrenchFET®功率MOSFET技术,特别适用于同步整流和电源管理应用。该产品通过了全部Rg和UIS测试,确保其在高压下的可靠性和稳定性。


    技术参数




    - 主要技术参数:
    - 漏源电压(VDS):4 V
    - 栅源电压(VGS):±25 V
    - 连续漏极电流(TJ=175 °C):85 A (TC=25 °C), 70 A (TC=70 °C)
    - 脉冲漏极电流(IDM):250 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):320 mJ
    - 最大功耗(TC=25 °C):312 W

    - 电气特性:
    - 静态:漏源击穿电压(VDS):40 V
    - 动态:输入电容(Ciss):2380 pF,输出电容(Coss):550 pF,反向传输电容(Crss):250 pF
    - 总栅极电荷(Qg):80-120 nC,栅源电荷(Qgs):20 nC,栅漏电荷(Qgd):12 nC

    - 热阻:
    - 最大结到环境热阻(RthJA):32-40 °C/W
    - 最大结到外壳热阻(RthJC):0.33-0.4 °C/W


    产品特点和优势




    - 高可靠性:100% Rg和UIS测试保证了其在高压条件下的稳定性。
    - 低导通电阻:在VGS = 10 V时,RDS(on)仅为0.0050 Ω,极大提高了效率。
    - 快速开关速度:门极电荷(Qg)为80-120 nC,有助于提高系统的响应速度和效率。
    - 良好的温度适应性:结温范围宽达-55至150°C,适合各种严苛的工作环境。


    应用案例和使用建议




    - 应用案例:
    - 同步整流:用于高效电源转换系统,减少损耗,提高整体效率。
    - 电源管理:常用于服务器、通信设备、工业控制系统等需要高效率电源管理的场合。

    - 使用建议:
    - 确保电路设计充分考虑MOSFET的散热需求,避免长时间工作在高温下导致性能下降。
    - 选用合适的PCB布局和散热设计,以降低热阻,提高系统的可靠性和寿命。


    兼容性和支持




    - 兼容性:
    - KMB054N40DC与多种电路设计兼容,可以方便地替换其他品牌的同类产品。

    - 支持和服务:
    - 台湾VBsemi提供详尽的技术文档和支持,客户可通过服务热线400-655-8788获得帮助和咨询。


    常见问题与解决方案




    - 问题1:MOSFET过热怎么办?
    - 解决方案:增加散热片或改进PCB布局,以增加热传导面积和散热效率。

    - 问题2:系统启动时出现不稳定怎么办?
    - 解决方案:检查电路连接和接地情况,确保各引脚连接正确且无松动。


    总结和推荐




    综上所述,KMB054N40DC是一款性能卓越的N沟道MOSFET,具有高可靠性、低导通电阻、快速开关速度和广泛的温度适应性。特别适合于高效率电源管理和同步整流的应用场景。强烈推荐在需要高效能、高可靠性的电路设计中使用此产品。

    如需了解更多信息或获取详细技术文档,请访问官方网站 www.VBsemi.com 或联系客服热线400-655-8788。

KMB054N40DC-VB参数

参数
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.85V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 85A
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@10V,5mΩ@4.5V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

KMB054N40DC-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KMB054N40DC-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KMB054N40DC-VB KMB054N40DC-VB数据手册

KMB054N40DC-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
2500+ ¥ 1.987
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交货地:
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型号 价格(含增值税)
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