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KD3407SRG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nVBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。\nVDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
供应商型号: KD3407SRG-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KD3407SRG-VB

KD3407SRG-VB概述

    P-Channel 30V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    产品类型:本产品为P沟道30V(D-S)功率MOSFET,型号为KD3407SRG。
    主要功能:具备高效率、低导通电阻等特点,适用于负载开关、笔记本适配器开关及DC/DC转换器等移动计算设备。
    应用领域:广泛应用于移动计算设备,如笔记本电脑、智能手机等,尤其适用于负载开关、笔记本适配器开关及DC/DC转换器等领域。

    技术参数


    - 额定电压(VDS):30V
    - 连续漏极电流(ID):在25°C时为5.6A,在70°C时为5.1A;封装温度为25°C和70°C时,最大值分别为5.4A和4.3A
    - 脉冲漏极电流(IDM):18A
    - 最大热阻(RthJA):在25°C时为75°C/W,在70°C时为100°C/W
    - 门限电压(VGS(th)):-0.5V到-2.0V之间
    - 零栅压漏电流(IDSS):-1μA到-5μA之间
    - 导通电阻(RDS(on)):在VGS=-10V时为0.046Ω,在VGS=-6V时为0.049Ω,在VGS=-4.5V时为0.054Ω
    - 反向恢复时间(trr):15ns到23ns之间
    - 单脉冲功耗(PD):在25°C时为2.5W,在70°C时为1.6W

    产品特点和优势


    - 采用TrenchFET®技术:提供更低的导通电阻,显著提高工作效率。
    - 百分之百RG测试:确保每一只产品都经过严格的测试,品质保证。
    - 适合多种应用场景:不仅适用于笔记本适配器和负载开关,还可以用于DC/DC转换器等高效率要求的场景。
    - 宽工作温度范围:可在-55°C至150°C的环境中稳定工作。

    应用案例和使用建议


    典型应用案例:
    - 笔记本适配器开关:由于低导通电阻和高开关速度,使得该器件成为理想的选择。
    - 负载开关:在需要频繁切换的场合,该器件能有效降低功耗并提高系统可靠性。
    - DC/DC转换器:适用于高效率的电源管理需求,提升整体系统效率。
    使用建议:
    - 在进行负载开关设计时,需考虑其额定电流和电压,并选择合适的散热措施以保持良好的工作状态。
    - 对于DC/DC转换器,建议采用较高的输入电压以充分利用其高效率特性。

    兼容性和支持


    该产品支持标准的SOT-23封装,便于集成进现有的电路板设计中。VBsemi公司提供了详尽的技术支持文档,以及在线咨询服务,确保客户能够获得及时的技术支持和帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:温度过高导致器件损坏。
    - 解决方法:合理设计散热路径,增加外部散热器或优化电路布局。
    - 问题2:电流超出额定值。
    - 解决方法:检查电路设计,确保电流不超过器件的最大承受能力。
    - 问题3:开启延迟时间过长。
    - 解决方法:调整驱动电阻,缩短开启时间。

    总结和推荐


    综合评价:
    - KD3407SRG具有出色的性能指标,尤其是其超低的导通电阻和高效的开关性能使其非常适合于移动计算设备中。
    - 提供了广泛的温度工作范围,确保其能够在恶劣环境下稳定工作。
    推荐使用:
    - 该产品非常适合用于笔记本适配器、负载开关和DC/DC转换器等高效率需求的应用场景。对于寻求高性能和可靠性的客户,我们强烈推荐使用此款P沟道30V MOSFET。

KD3407SRG-VB参数

参数
栅极电荷 -
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 47mΩ@10V,56mΩ@4.5V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 5.6A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

KD3407SRG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KD3407SRG-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KD3407SRG-VB KD3407SRG-VB数据手册

KD3407SRG-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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300+ ¥ 0.3234
500+ ¥ 0.3105
3000+ ¥ 0.2975
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