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K4101FG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: K4101FG-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4101FG-VB

K4101FG-VB概述

    K4101FG-VB 功率 MOSFET 技术手册

    产品简介


    K4101FG-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的高性能 N 沟道功率 MOSFET。该器件适用于多种高效率电力转换应用,如服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源及照明系统(如高强度放电灯和荧光灯)。此外,它还广泛应用于工业控制领域。

    技术参数


    - 额定电压:VDS(最大)= 650V
    - 导通电阻:RDS(on)(25°C,VGS=10V)< 0.8Ω
    - 最大电流:ID(150°C)= 57A
    - 栅极电荷:Qg max = 45nC
    - 总栅极电容:Ciss = 10pF
    - 击穿电压:VDS(25°C)= 650V
    - 最大耗散功率:PD = 3W
    - 绝对最大额定值:
    - 栅源电压:VGS = ±30V
    - 最大脉冲漏极电流:IMDM = 100A
    - 工作温度范围:TJ, Tstg = -55至+150°C

    产品特点和优势


    - 低损耗:低开关和导通损耗,通过优化设计减少整体能量损失。
    - 高效率:较低的RDS(on)和高效率栅极驱动降低了功耗。
    - 可靠性:具有重复测试通过的最大脉冲雪崩能量,确保在极端条件下的稳定性。
    - 易用性:低输入电容Ciss和超低栅极电荷,使器件易于驱动。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源:由于具备高效的电能转换能力,可以显著提高系统的整体能效。
    - 工业控制:适用于各种需要高可靠性和低损耗的应用场合。
    - 建议使用:在高温环境下,考虑使用散热片或散热管来增加热阻,确保工作稳定。在驱动电路中,适当选择合适的栅极电阻,避免振荡现象发生。

    兼容性和支持


    - 兼容性:K4101FG-VB 的 TO-220 Fullpak 封装形式与多数标准电路板组装兼容。
    - 支持:供应商提供详尽的技术文档和应用指南,客户可联系服务热线400-655-8788获取更多支持信息。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何正确处理和安装?
    - 解决办法:参考技术手册中的“焊接推荐”,使用合适的焊接工艺和峰值温度。

    - 问题2:如何进行热管理?
    - 解决办法:建议添加散热片,并根据实际应用场景选择适当的散热方案。
    - 问题3:栅极电荷过高导致功耗增大怎么办?
    - 解决办法:检查并调整驱动电路,合理配置栅极电阻和电容。

    总结和推荐


    K4101FG-VB 在性能上表现出色,尤其适用于高效率和高可靠性要求的应用场合。其优良的导通特性和低损耗特性使其成为电力转换系统的理想选择。结合其广泛的适用性和良好的技术支持,强烈推荐用于各类工业和商业电力应用中。

K4101FG-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 10A
栅极电荷 -
通道数量 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K4101FG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4101FG-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K4101FG-VB K4101FG-VB数据手册

K4101FG-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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