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K80S04K3L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,40V,130A,RDS(ON),3.5mΩ@10V,40mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.3Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: K80S04K3L-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K80S04K3L-VB

K80S04K3L-VB概述

    K80S04K3L N-Channel 40-V (D-S) MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    K80S04K3L 是一款高性能的N沟道40V(D-S)功率MOSFET。这款器件采用TrenchFET®技术,具有低导通电阻和高电流处理能力,适用于同步整流和电源供应等多种应用场景。其独特的设计使其在各种电力转换和开关应用中表现出色。

    技术参数


    - 额定电压:VDS = 40V
    - 连续漏极电流:ID = 120A(TC=25°C),在更高的温度下有所下降
    - 脉冲漏极电流:IDM = 250A
    - 单脉冲雪崩能量:EAS = 320mJ
    - 最大功耗:PD = 312W(TC=25°C)
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压:VDS = 40V
    - 阈值电压:VGS(th) = 1.2V 至 2.5V
    - 零栅电压漏极电流:IDSS ≤ 1μA
    - 导通电阻:RDS(on) = 0.0016Ω(VGS=10V, ID=30A)
    - 动态参数:
    - 输入电容:Ciss = 650pF
    - 输出电容:Coss = 450pF
    - 总栅极电荷:Qg = 120nC 至 180nC
    - 开启延迟时间:td(on) = 20ns 至 30ns
    - 关闭延迟时间:td(off) = 77ns 至 115ns

    产品特点和优势


    1. 高效能:低导通电阻(RDS(on) ≤ 0.0016Ω)使得在高电流条件下也能保持低损耗。
    2. 高可靠性:100% Rg和UIS测试确保了产品的稳定性和可靠性。
    3. 宽工作温度范围:-55°C至150°C的宽温度范围,适应多种恶劣环境。
    4. 快速开关特性:优秀的动态参数使其在高频应用中表现优异。

    应用案例和使用建议


    - 同步整流:K80S04K3L在同步整流应用中能够显著提高效率,减少热量产生。
    - 电源供应:在开关电源中,其低RDS(on)和快速开关特性可有效降低损耗。

    使用建议:
    - 确保散热良好,特别是在高温环境下使用。
    - 考虑到其快速开关特性,在设计电路时应选择合适的栅极电阻以避免振铃现象。

    兼容性和支持


    K80S04K3L采用标准的TO-252封装,易于安装和更换。VBsemi提供详尽的技术支持文档,包括设计指南和常见问题解答,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何正确计算功耗?
    - 解决方案:根据公式PD = RDS(on) ID^2 (1 + VDS/ID),并结合实际工作条件进行计算。
    - 问题2:在高温环境下如何避免过热?
    - 解决方案:增加外部散热片或风扇,确保良好的空气流通,同时考虑降低工作电流以减少发热。

    总结和推荐


    K80S04K3L N-Channel 40-V (D-S) MOSFET是一款高性能的功率MOSFET,具有低导通电阻、高可靠性及宽工作温度范围等优点。其出色的动态特性和高效的同步整流能力使其成为多种电力转换和开关应用的理想选择。我们强烈推荐此产品给需要高效能和高可靠性的工程师和设计师。

K80S04K3L-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.3V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3.5mΩ@10V,40mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 40V
Id-连续漏极电流 130A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K80S04K3L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K80S04K3L-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K80S04K3L-VB K80S04K3L-VB数据手册

K80S04K3L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.8305
100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 4.9667
2500+ ¥ 4.7507
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型号 价格(含增值税)
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