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TPC8017-H-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n该产品为单体N型MOSFET,具有以下特性:\n- 最大漏极电压(VDS)为30V,适用于中等功率应用。\n- 最大门源电压(VGS)为±20V,兼容多种驱动电路。\n- 阈值电压(Vth)为1.7V,具有良好的开关特性。\n- 在VGS=4.5V时,导通电阻为5m?;在VGS=10V时,导通电阻为4m?,具有低导通电阻和低开关损耗。\n- 最大漏极电流(ID)为18A,可满足多种应用场景的电流需求。\n- 采用Trench工艺,具有优异的热特性和可靠性。\n- 封装为SOP8,便于PCB布局和焊接。
供应商型号: TPC8017-H-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) TPC8017-H-VB

TPC8017-H-VB概述


    产品简介


    产品概述
    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一款高性能、高效率的电子元器件,适用于多种电子设备。它特别设计用于高边同步整流操作,广泛应用于笔记本电脑CPU核心供电系统中的高边开关。
    主要功能
    - 高效转换
    - 低导通电阻
    - 快速响应时间
    - 适用于笔记本电脑CPU核心的高边开关
    应用领域
    - 笔记本电脑CPU核心供电
    - 高边开关
    - 同步整流

    技术参数


    - 漏源电压 (VDS):30V
    - 连续漏极电流 (ID):18A(TJ = 150°C)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):50A
    - 体二极管连续源漏电流 (IS):3.8A(TJ = 25°C)
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS):22A
    - 雪崩能量 (EAS):24mJ
    - 最大功率耗散 (PD):4.5W(TJ = 25°C)
    - 最大结点温度和存储温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 至 150°C

    产品特点和优势


    特点
    - 环保无卤素材料
    - 采用TrenchFET® 技术提高性能
    - 100% Rg测试和100% UIS测试确保可靠性
    优势
    - 优化设计以提高高边同步整流操作效率
    - 低导通电阻(在VGS=10V时为0.004Ω)
    - 快速开关速度(td(on) 和 td(off) 均在10-20ns范围内)

    应用案例和使用建议


    应用案例
    这款MOSFET特别适合用于笔记本电脑CPU核心供电系统的高边开关。例如,在一台配备Intel Core i7处理器的笔记本电脑中,此MOSFET能够高效稳定地提供电源管理功能。
    使用建议
    - 在高边开关应用中,确保散热系统足够强大,以避免过热。
    - 由于快速开关时间,建议使用低感抗电路设计,减少电磁干扰(EMI)。

    兼容性和支持


    兼容性
    该MOSFET与常见的SO-8封装的电路板兼容,可以方便地进行表面贴装安装。
    支持
    制造商VBsemi提供了全面的技术支持,包括详细的产品手册、应用指南和技术咨询服务,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    问题1
    在高温环境下工作时,MOSFET的性能是否会受到影响?
    解决方案
    MOSFET的最大工作温度为150°C,但为了保持长期可靠性,建议保持工作温度在85°C以下。可通过增加散热片或风扇来改善散热条件。
    问题2
    如何选择合适的驱动电阻 (Rg) 来控制开关时间?
    解决方案
    根据手册中的建议,选择合适的Rg值可以调整开关时间。通常,较小的Rg值可以加快开关速度,但会增加开关损耗。因此,应根据具体应用需求权衡选择。

    总结和推荐


    综合评估
    这款N-Channel 30-V MOSFET具有出色的性能,特别适用于笔记本电脑CPU核心供电系统中的高边开关。其低导通电阻、快开关速度和环保特性使其在市场上具备较强的竞争力。
    推荐
    基于以上分析,强烈推荐使用这款MOSFET。它的高性能和可靠性使得它成为同类产品中的佼佼者,特别是在需要高效电源管理的应用场景中。

TPC8017-H-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@10V,6.5mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.72V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 18A
最大功率耗散 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

TPC8017-H-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

TPC8017-H-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 TPC8017-H-VB TPC8017-H-VB数据手册

TPC8017-H-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.6525
100+ ¥ 1.5301
500+ ¥ 1.4688
4000+ ¥ 1.4077
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