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UT4421-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-6A,RDS(ON),50mΩ@10V,61mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: UT4421-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT4421-VB

UT4421-VB概述


    产品简介


    P-Channel 60V MOSFET(P-沟道60V功率MOSFET)是一款高性能的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这款MOSFET采用TrenchFET®技术制造,适用于各种高要求的应用场景。其主要功能包括高效的开关性能和低导通电阻,使其在工业控制、电机驱动、电源转换等领域得到广泛应用。

    技术参数


    | 参数 | 标准条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: | :: | :: |
    | 漏源电压 (VDS) | -60 | - | - | - |
    | 栅源电压 (VGS) | ± 20 | - | - | - |
    | 连续漏极电流 (TC = 25 °C) (ID) | -8 | - | - | A |
    | 脉冲漏极电流 (IDM) | -32 | - | - | A |
    | 单脉冲雪崩电流 (IAS) | -22.4 | - | - | A |
    | 单脉冲雪崩能量 (EAS) | 25 | - | - | mJ |
    | 最大功耗 (TC = 25 °C) (PD) | 5 | - | - | W |
    | 操作结温范围 (TJ, Tstg) | -55 至 +175 | - | - | °C |

    产品特点和优势


    P-Channel 60V MOSFET具有多项独特的功能和优势,使它在各种应用中表现出色。首先,其采用的TrenchFET®技术提供了卓越的开关性能和较低的导通电阻(RDS(on)),确保了高效且稳定的电力转换。其次,该器件经过了全面的质量测试,包括Rg和UIS测试,保证了高度的可靠性和耐用性。此外,该MOSFET还具有较高的热阻,能够在高温环境下保持稳定的工作状态,适用于工业和汽车等严苛环境的应用。

    应用案例和使用建议


    P-Channel 60V MOSFET广泛应用于需要高效能和高可靠性电力转换的场合。例如,在电机驱动系统中,它可以作为关键的控制组件,实现精确的速度和位置控制。此外,在电源管理系统中,它可以用于电路保护和电流调节,以确保系统的稳定运行。
    使用建议:
    - 在使用过程中,务必注意操作温度范围,避免超出其绝对最大额定值,以延长器件的使用寿命。
    - 配合适当的散热设计,确保MOSFET能在高电流和高温条件下稳定工作。
    - 在实际应用中,可以通过优化电路布局和增加旁路电容来进一步提升性能。

    兼容性和支持


    本产品与其他标准的SO-8封装引脚定义兼容,可以方便地替换现有的MOSFET器件。制造商提供详尽的技术文档和支持服务,包括应用指南、电路仿真工具等,帮助用户快速集成到设计中。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |
    | :: | :: |
    | 开关频率不稳定 | 确认驱动电路是否匹配,检查外部电容和电感配置 |
    | 功耗过高 | 检查散热设计是否合理,适当降低栅极驱动电压或更换为更高RDS(on)型号 |
    | 寿命缩短 | 确认工作温度范围,确保不超出绝对最大额定值 |

    总结和推荐


    综上所述,P-Channel 60V MOSFET凭借其高效能、高可靠性和广泛的适用范围,在众多电力电子应用中展现出色的表现。我们强烈推荐使用此款MOSFET,以满足各种电力控制需求。

UT4421-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 6A
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 50mΩ@10V,61mΩ@4.5V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT4421-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT4421-VB数据手册

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UT4421-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 1.987
4000+ ¥ 1.9005
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