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K3076-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单极性 N 型功率场效应晶体管(MOSFET),额定电压高达650V,适用于高压应用场景。门源电压范围广泛(±30V),具有良好的电压容忍性。阈值电压较低(3.5V),有助于减少功率损耗。在VGS=10V时的漏极-源极电阻为700m?,提供可靠的导通特性。漏极电流为7A,适用于中等功率需求。采用SJ_Multi-EPI技术,具有优异的热稳定性和可靠性。封装为TO252,易于安装和散热。
供应商型号: K3076-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3076-VB

K3076-VB概述


    产品简介


    电子元器件名称:4VQFS +VODUJPO Power MOSFET
    产品类型:功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)
    主要功能:
    - 低功耗特性,通过降低开关损耗和导通损耗来实现高效能;
    - 高速响应能力,具备超低栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss);
    - 支持高频率工作环境,适应服务器、电信电源系统等复杂工况需求。
    应用领域:
    - 服务器和电信电源系统;
    - 开关模式电源供应(SMPS);
    - 功率因数校正电源(PFC);
    - 照明(如高强度放电灯HID及荧光灯球电路);
    - 工业控制系统。

    技术参数


    | 参数 | 描述 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: | :: | :: |
    | VDS | 漏源电压最大值 | - | - | 650 | V |
    | RDS(on) | 导通电阻 | - | 0.7 | - | Ω |
    | Qg | 总栅极电荷 | - | 16 | nC |
    | Ciss | 输入电容 | - | 147 | pF |
    | EAS | 单脉冲雪崩能量 | 80 | - | mJ |
    | ID | 连续漏极电流 | - | 8 | A |
    | RthJA | 最大结到环境热阻 | - | 63 | °C/W |
    | VGS(th) | 栅源阈值电压 | 2 | - | 4 | V |

    产品特点和优势


    产品特点:
    - 低FOM(Ron x Qg):通过优化Ron与Qg的关系,实现高效能;
    - 超低栅极电荷:适合高速开关应用,减少能耗;
    - 减少开关和导通损耗:适用于需要高频操作的应用场景。
    优势:
    - 在高频开关应用中表现出色,特别适合对能耗要求严格的场景;
    - 可靠性高,具备较强的耐雪崩特性,确保在极端条件下的稳定性;
    - 适配多种应用领域,特别是需要长时间稳定工作的工业控制系统。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 在服务器电源中,可有效提高转换效率,降低能源浪费;
    - 在荧光灯及高强度放电灯电路中,提升灯光控制的精准度与反应速度。
    使用建议:
    - 建议配合散热设计良好的散热器,以保障MOSFET在高温环境下仍能正常工作;
    - 设计时应注意匹配合适的栅极驱动电阻,以保证快速而稳定的开关过程。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 与标准的TO-220AB、TO-252封装相兼容,方便集成到现有系统中。
    支持与维护:
    - 提供详细的技术文档及客户支持服务,便于开发者快速上手和调试。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 问题:栅极电压过高导致器件损坏
    - 解决方案:确保VGS不超过规定的范围(±30V),同时设置适当的栅极电阻,以防止电压尖峰。

    2. 问题:过高的漏极电流导致过热
    - 解决方案:采用合适的散热措施,确保散热器能够有效地带走多余的热量。

    总结和推荐


    综合评估:
    4VQFS +VODUJPO Power MOSFET以其卓越的低功耗特性和高效的开关性能,在多种应用场景中表现出色。其超低的栅极电荷使其非常适合于高频工作环境,同时在可靠性方面也表现出色,具有较强的抗雪崩能力。
    推荐结论:
    鉴于其在高性能电源转换、照明控制等领域的广泛应用前景及出色的性能表现,强烈推荐使用此款MOSFET。它不仅能满足高要求的应用环境,而且提供了广泛的兼容性和细致入微的技术支持。

K3076-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 7A
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 700mΩ@ 10V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 30V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K3076-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3076-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3076-VB K3076-VB数据手册

K3076-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.3111
2500+ ¥ 3.1672
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