处理中...

首页  >  产品百科  >  KF10N65F-VB

KF10N65F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: KF10N65F-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KF10N65F-VB

KF10N65F-VB概述

    KF10N65F Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    KF10N65F 是一款高性能 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于各种高功率应用。它的主要功能包括低导通电阻(RDS(on))、低输入电容(Ciss)和超低栅极电荷(Qg)。这些特性使其成为电源管理、开关模式电源(SMPS)和功率因数校正(PFC)电源系统的理想选择。

    技术参数


    - 漏源电压 (VDS):最大值为 650V,在 TJ 最大温度下为 650V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):2V 到 4V
    - 连续漏极电流 (ID):在 TC = 25°C 下为 10A;在 TC = 100°C 下为 10A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):最大值受限于最高结温
    - 雪崩能量额定值 (EAS):重复额定值,脉冲宽度受最高结温限制
    - 总栅极电荷 (Qg):典型值为 40nC
    - 输入电容 (Ciss):在 VGS = 0V、VDS = 100V、f = 1MHz 下测试条件下的值
    - 反向传输电容 (Crss):具体值未提供
    - 热阻 (RthJA):最大值为 63°C/W
    - 存储温度范围 (Tstg):-55°C 至 +150°C
    - 最大工作结温 (TJ):-55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    KF10N65F 具有以下几个显著的优势:
    - 低损耗:低导通电阻和低栅极电荷使得其具有较低的开关损耗和传导损耗。
    - 高可靠性:在重复额定条件下具有出色的雪崩能量承受能力。
    - 简化设计:由于其较低的栅极电荷,设计时可以减少驱动电路的复杂性。
    - 适应性强:能够在广泛的电压和温度范围内稳定工作,适用于多种工业和商业应用。

    应用案例和使用建议


    KF10N65F 在多个领域有广泛应用,如服务器和电信电源、开关模式电源、功率因数校正电源以及照明系统。对于工业应用,尤其是在高密度电子设备中,这款 MOSFET 可以有效提升系统效率并降低功耗。
    使用建议:
    - 确保散热:在高负载情况下,确保良好的散热措施,以防止过热导致的性能下降。
    - 驱动电路优化:利用其低栅极电荷的特点,优化驱动电路设计,提高整体效率。

    兼容性和支持


    KF10N65F 与其他标准 TO-220 封装的产品具有良好的兼容性。VBsemi 提供详细的技术支持,包括安装指南、热管理建议和故障排除手册。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品温度过高
    解决方案:增加散热片或采用主动冷却方式。

    2. 问题:开关损耗较高
    解决方案:优化驱动电路,减小栅极电荷。
    3. 问题:频繁的雪崩事件导致损坏
    解决方案:检查电路设计,确保适当的电压保护措施。

    总结和推荐


    KF10N65F 是一款性能优越、高效可靠的 N 沟道 MOSFET,适合用于高功率转换应用。其低损耗、高可靠性和广泛的工作温度范围使其在市场上具有很强的竞争力。总体来说,我们强烈推荐这款产品用于需要高效率和可靠性的应用中。
    联系客服热线:400-655-8788 获取更多信息和购买详情。
    网站:www.VBsemi.com

KF10N65F-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
配置 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 10A
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

KF10N65F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KF10N65F-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KF10N65F-VB KF10N65F-VB数据手册

KF10N65F-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 42.75
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504