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K3469-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F 一款Single N场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
供应商型号: K3469-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3469-VB

K3469-VB概述

    K3469-VB N-Channel 550V Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    产品类型:N-Channel 550V 功率 MOSFET
    主要功能:用于电源转换和开关应用,提供低电阻和高效性能。
    应用领域:
    - 消费电子产品(如液晶或等离子电视)
    - 服务器和电信电源供应系统
    - 工业应用(焊接、感应加热、电机驱动)
    - 电池充电器
    - 功率因数校正(PFC)

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | - | - | V |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | 550 | V |
    | 击穿电压 | BVDSS | - | - | 550 | V |
    | 栅源泄漏电流 | IGSS | - | - | ±100 | nA |
    | 通态电阻 | RDS(on) | - | 0.26 | - | Ω |
    | 有效输出电容(能量相关) | Co(er) | - | 131 | - | pF |
    | 有效输出电容(时间相关) | Co(tr) | - | 189 | - | pF |
    | 输入电容 | Ciss | - | 3094 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 152 | - | pF |
    | 转移电容 | Crss | - | 13 | - | pF |
    | 门极总电荷 | Qg | - | 80 | 150 | nC |
    | 门极源电荷 | Qgs | - | - | 12 | nC |
    | 门极漏电荷 | Qgd | - | - | 25 | nC |

    3. 产品特点和优势


    - 低面积特定导通电阻:RDS(on) 仅为 0.26 Ω @ 10 V VGS。
    - 低输入电容:Ciss 为 3094 pF,减少栅极电容带来的开关损耗。
    - 高体二极管坚固性:提高在短路条件下的可靠性。
    - 高雪崩能量:能够承受高重复脉冲和瞬时峰值电流,提升鲁棒性。
    - 简单栅极驱动电路:降低整体成本和设计复杂度。
    - 高效率:Ron x Qg 的 FOM 值低,提高系统能效。
    - 快速开关能力:减小开关损耗,提高整体性能。

    4. 应用案例和使用建议


    - 消费电子产品:适用于 LCD 和等离子电视中的电源模块。
    - 服务器和电信电源:适用于需要高效功率转换的服务器电源供应系统。
    - 工业应用:如焊接、感应加热和电机驱动等工业设备中的开关电源。
    - 电池充电器:具备快速充电能力,适合各类电池充电应用。
    使用建议:
    - 在高功率应用中,注意散热问题,确保良好的热管理。
    - 确保门极驱动信号的稳定性,以避免误触发。
    - 考虑到器件的耐热性和工作温度范围,确保选择合适的封装和冷却方式。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与标准 TO-220 FULLPAK 封装兼容。
    - 支持:厂商提供详细的文档和支持,包括技术咨询和售后服务,确保客户能够充分利用产品的性能优势。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:栅极电压超过额定值。
    解决方案:确保门极驱动电压在 ±20 V 以内。
    - 问题:散热不良导致过温保护。
    解决方案:增加散热片或采用散热器,确保器件处于正常工作温度范围内。
    - 问题:出现瞬时大电流。
    解决方案:在电路设计中加入过流保护电路,避免器件受到损伤。

    7. 总结和推荐


    综述:K3469-VB N-Channel 550V Power MOSFET 在众多领域表现出色,具备低电阻、低损耗、高效率的特点,特别适合高功率应用。其优秀的电气特性和稳定性使其在市场上具有较高的竞争力。
    推荐:强烈推荐使用 K3469-VB N-Channel 550V Power MOSFET,特别是在要求高性能和可靠性的场合。对于工程师来说,这是一个值得信赖的选择。

K3469-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Id-连续漏极电流 18A
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@ 10V
栅极电荷 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 550V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3469-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3469-VB数据手册

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K3469-VB封装设计

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