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K2059L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,2A,RDS(ON),4300mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO251 可用于电源管理模块、太阳能光伏逆变器、 LED驱动器、电动工具驱动器等产品,产品具有高漏极电阻和低漏极电流,适用于多种领域和模块。
供应商型号: K2059L-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2059L-VB

K2059L-VB概述

    K2059L N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K2059L 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于 IPAK(TO-251)封装类型。它广泛应用于电力转换系统、驱动电路和其他需要高可靠性的电子设备中。K2059L 的设计特别注重低功耗、高效率和强大的抗过电压能力,确保其在各种苛刻条件下都能稳定工作。

    2. 技术参数


    以下是 K2059L 的主要技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS 650 | V |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ±30 V |
    | 连续漏极电流(TC=25°C) | ID 1.28 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM 8 | A |
    | 热阻(结到环境) | RthJA 65 | °C/W |
    | 结到外壳热阻(漏极) | RthJC 2.1 | °C/W |
    | 二极管反向恢复时间 | trr 180 | 230 | ns |
    | 雪崩能量(单脉冲) | EAS 165 | mJ |

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷(Qg):栅极电荷低,有助于简化驱动需求,降低功耗。
    - 增强的耐用性:改善了栅极、雪崩和动态dv/dt的耐久性。
    - 全面的电气参数:提供完全表征的电容和雪崩电压及电流。
    - 符合RoHS标准:符合欧盟关于有害物质限制(RoHS)的标准。

    4. 应用案例和使用建议


    K2059L 广泛应用于电力转换系统、逆变器、电机驱动等领域。根据手册中的典型特性曲线,它在不同的温度下表现出良好的稳定性和可靠性。
    使用建议:
    - 在设计驱动电路时,考虑 K2059L 的低栅极电荷特性,可以简化驱动电路的设计,降低能耗。
    - 由于其优秀的雪崩耐受性,适合用于过电压保护的场合。

    5. 兼容性和支持


    K2059L 与大多数标准电源管理系统兼容,适用于广泛的工业应用。VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,以确保用户能够充分发挥该产品的性能。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1:在高负载情况下,MOSFET 发热严重。
    - 解决方案:检查散热设计,确保 MOSFET 工作在允许的最大结温范围内,并使用适当的散热片或冷却风扇来降低温度。
    问题2:启动时 MOSFET 表现不稳定。
    - 解决方案:确保驱动电路的初始条件符合手册中的规定,如启动时的栅极-源极电压和负载条件。

    7. 总结和推荐


    K2059L N-Channel MOSFET 是一款高度可靠的电子元器件,具有低栅极电荷、强抗过电压能力和全面的电气参数表征。其广泛的应用范围和出色的性能使其成为电力转换和驱动应用的理想选择。总体而言,强烈推荐此产品给需要高可靠性和高性能的用户。
    通过以上的详细介绍和技术参数分析,K2059L 显示出其在电力电子领域的优越性能和广泛应用潜力,是值得信赖的选择。

K2059L-VB参数

参数
配置 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4.3Ω@ 10V
Id-连续漏极电流 2A
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2059L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2059L-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2059L-VB K2059L-VB数据手册

K2059L-VB封装设计

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