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20G3L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n该产品为单体N型MOSFET,具有以下特性:\n- 最大漏极电压(VDS)为30V,适用于中等功率应用。\n- 最大门源电压(VGS)为±20V,兼容多种驱动电路。\n- 阈值电压(Vth)为1.7V,具有良好的开关特性。\n- 在VGS=4.5V时,导通电阻为5m?;在VGS=10V时,导通电阻为4m?,具有低导通电阻和低开关损耗。\n- 最大漏极电流(ID)为18A,可满足多种应用场景的电流需求。\n- 采用Trench工艺,具有优异的热特性和可靠性。\n- 封装为SOP8,便于PCB布局和焊接。
供应商型号: 20G3L-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 20G3L-VB

20G3L-VB概述


    产品简介


    本文将介绍一款来自VBsemi公司的N-Channel 30-V (D-S) MOSFET,这是一款高性能的电子元器件,专为高侧同步整流操作优化。该MOSFET具有低导通电阻(RDS(on))和高效能的特点,适用于笔记本电脑CPU核心电源管理和各种需要高效能电力转换的应用场景。

    技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压(VDS):30 V
    - 门源电压(VGS):± 20 V
    - 持续漏电流(TJ = 150 °C):18 A(TC = 25 °C),16 A(TC = 70 °C)
    - 单脉冲雪崩电流(IAS):22 A
    - 雪崩能量(EAS):24 mJ
    - 最大功率耗散(PD):4.5 W(TC = 25 °C)
    - 性能参数
    - 导通状态下的漏源电阻(RDS(on)):
    - VGS = 10 V,ID = 11 A时:0.004 Ω
    - VGS = 4.5 V,ID = 10 A时:0.005 Ω
    - 电容特性:
    - 输入电容(Ciss):820 pF
    - 输出电容(Coss):195 pF
    - 反向传输电容(Crss):73 pF
    - 总门电荷(Qg):15-23 nC
    - 工作环境
    - 最大存储温度范围(Tstg):-55 至 150 °C
    - 最大接点温度(TJ):-55 至 150 °C
    - 热阻:
    - 最大接点到环境的热阻(RthJA):38 °C/W(最大值)
    - 最大接点到引脚(漏极)的热阻(RthJF):22 °C/W(最大值)

    产品特点和优势


    这款N-Channel 30-V MOSFET的主要特点包括:
    - 环保特性:无卤素设计,符合RoHS和Halogen-Free标准。
    - 高性能:优化的沟槽场效应管技术,使得该MOSFET适用于高效率的电力转换系统。
    - 可靠性:所有产品经过100% Rg和UIS测试,确保其在各种条件下的稳定运行。
    - 应用广泛:适用于笔记本电脑CPU核心和其他需要高效率电力转换的应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 笔记本电脑CPU核心供电:利用其高效率的特性,可以显著提高系统效率并降低功耗。
    - 电源管理:在工业电源供应系统中,可以通过优化设计减少损耗,提高系统整体性能。
    使用建议:
    - 在高效率电力转换系统中,选择合适的驱动电路和散热设计是至关重要的。合理设置栅极电阻(Rg)和输出电容(Coss),以避免过高的开关损耗。
    - 对于长期运行的应用,应考虑增加散热措施,例如使用散热片或散热器,以防止因高温导致的损坏。

    兼容性和支持


    该MOSFET采用了SO-8封装,适用于大多数标准焊接工艺。同时,厂商提供了详尽的技术支持文档和用户指南,帮助用户正确安装和使用该产品。如果您在使用过程中遇到任何问题,可通过服务热线:400-655-8788与技术支持团队联系。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何选择合适的驱动电路?
    - 解决方案:应根据负载情况选择合适的驱动电路,避免过高或过低的栅极电压导致MOSFET无法正常工作或过早损坏。

    - 问题2:MOSFET过热如何处理?
    - 解决方案:加强散热措施,如增加散热片或使用外部冷却系统。必要时可重新评估系统设计,调整电路布局以改善散热效果。

    总结和推荐


    总的来说,这款N-Channel 30-V MOSFET具有出色的性能和广泛的适用性,特别适合需要高效率和可靠性的应用场景。对于追求高性能和低能耗的设计,该产品是一个非常理想的选择。我们强烈推荐用户在相关应用中考虑使用此款MOSFET。

20G3L-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 18A
配置 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.72V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@10V,6.5mΩ@4.5V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

20G3L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

20G3L-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 20G3L-VB 20G3L-VB数据手册

20G3L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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