处理中...

首页  >  产品百科  >  ME80N75T-VB

ME80N75T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,80V,100A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.7Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块,如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。
供应商型号: ME80N75T-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ME80N75T-VB

ME80N75T-VB概述

    N-Channel 80V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    N-Channel 80V (D-S) MOSFET 是一种高性能的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),适用于多种电子应用场合。此款MOSFET 采用先进的TrenchFET®技术制造,能够在高电压和电流环境下保持稳定的性能,广泛应用于电源管理和开关电路设计。

    2. 技术参数


    - 漏源电压 (VDS):最大值为80V,满足大部分高电压需求。
    - 栅源电压 (VGS):±20V,确保宽泛的操作范围。
    - 连续漏极电流 (ID):在不同温度下分别测试了最大电流容量,例如,在25°C时最高可达28.6A。
    - 脉冲漏极电流 (IDM):最高可承受350A的瞬态电流。
    - 连续源漏二极管电流 (IS):在25°C时最高可达4.5A。
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS) 和 单脉冲雪崩能量 (EAS) 分别为30A和45mJ。
    - 最大功率耗散 (PD):在25°C时最高为180W,以确保在极端条件下的可靠性。

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET® Power MOSFET 技术:保证高效能和低损耗。
    - 100% Rg and UIS 测试:通过严格的制造工艺和质量控制。
    - 应用广泛:适用于主边开关、同步整流、DC/AC逆变器、LED背光等多种应用场景。
    - 可靠性和稳定性:能够处理高电流和高电压,适合苛刻的工作环境。

    4. 应用案例和使用建议


    此款MOSFET 在电源管理、DC/AC逆变器及LED背光等领域得到了广泛应用。在设计高效率电源转换系统时,建议结合散热设计,如使用散热片或风扇来提高系统的热稳定性,从而延长产品的使用寿命。

    5. 兼容性和支持


    该产品在电气特性和物理封装上具有良好的兼容性,适合大多数标准电路板设计。厂商提供详细的技术支持文档和售后服务,帮助客户解决在使用过程中遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问:MOSFET 在高电流条件下是否会过热?
    - 答:建议在设计时考虑有效的散热方案,如增加散热片,以避免过热损坏。

    - 问:如何确保产品在极端条件下的可靠性?
    - 答:可以通过选择适当的封装和散热方式来提高产品的可靠性。厂商的技术支持团队也提供了详细的使用指南和建议。

    7. 总结和推荐


    总体来说,这款N-Channel 80V (D-S) MOSFET 具有卓越的性能和广泛的应用范围,特别是在需要处理高电压和大电流的应用中表现优异。我们强烈推荐这款产品给需要高效能、高稳定性的设计工程师。
    服务热线:400-655-8788
    如需进一步的技术支持或购买相关产品,请联系我们的客服部门。

ME80N75T-VB参数

参数
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 80V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 100A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.7V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

ME80N75T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ME80N75T-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 ME80N75T-VB ME80N75T-VB数据手册

ME80N75T-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 42.75
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504