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K2560-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,200V,30A,RDS(ON),110mΩ@10V,125mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~3Vth(V) 封装:TO220适用于各种电源管理和功率控制应用。其高额定漏极-源极电压、低阈值电压和高导通电流使其在多种场合下都表现出色。
供应商型号: K2560-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2560-VB

K2560-VB概述

    K2560-VB N-Channel 200V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K2560-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道200V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的TrenchFET®技术制造,具有低导通电阻和高耐压的特点。主要功能是作为开关元件,在电源管理和转换应用中发挥关键作用。其典型应用包括初级侧开关、电源转换器和其他需要高可靠性和高效能的电力电子系统。

    2. 技术参数


    以下是K2560-VB的主要技术参数:
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 200V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20V
    - 持续漏极电流 \( I{D} \): 125°C下为40A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 70A
    - 最大功率耗散 \( P{D} \): 25°C下为126W
    - 工作结温和存储温度范围 \( T{stg} \): -55°C至175°C
    - 热阻率
    - 结到环境热阻 \( R{thJA} \): 10°C/W至15°C/W
    - 结到外壳热阻 \( R{thJC} \): 0.85°C/W至1.1°C/W
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 200V
    - 栅阈电压 \( V{GS(th)} \): 1V至4V
    - 零栅电压漏极电流 \( I{DSS} \): 1μA至50μA
    - 导通漏极电流 \( I{D(on)} \): 40A
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \): 0.11Ω至0.152Ω
    - 动态特性
    - 输入电容 \( C{iss} \): 1800pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 180pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \): 80pF
    - 总栅电荷 \( Q{g} \): 34nC至51nC
    - 栅源电荷 \( Q{gs} \): 8nC
    - 栅漏电荷 \( Q{gd} \): 12nC
    - 开启延迟时间 \( t{d(on)} \): 15ns至25ns
    - 上升时间 \( t{r} \): 50ns至75ns
    - 关闭延迟时间 \( t{d(off)} \): 30ns至45ns
    - 下降时间 \( t{f} \): 60ns至90ns

    3. 产品特点和优势


    K2560-VB的主要特点包括:
    - TrenchFET®技术:提供更低的导通电阻和更高的效率。
    - 高工作温度:结温可达175°C,适用于高温环境。
    - PWM优化:适用于脉宽调制应用,如电机驱动和开关电源。
    - 100% Rg测试:确保产品质量和可靠性。
    - 符合RoHS标准:环保材料,满足欧盟指令要求。
    这些特点使其成为电力电子应用的理想选择,特别是在需要高效率和高可靠性的场合。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源:作为初级侧开关,用于DC-DC转换器。
    - 电机驱动:适用于电动工具和工业设备的电机驱动电路。
    - 照明系统:用于LED驱动器中的开关元件。
    使用建议:
    - 散热管理:由于器件功耗较高,建议使用适当的散热片以保持温度在安全范围内。
    - 电路布局:尽量缩短栅极走线长度,减少寄生电感,提高开关速度。
    - 保护措施:在电路设计中加入过流保护和过温保护,以确保长期稳定运行。

    5. 兼容性和支持


    K2560-VB可与其他标准封装的MOSFET器件互换使用,便于替换现有设计。VBsemi公司提供详尽的技术文档和支持服务,包括产品手册、应用指南和技术咨询。客户可通过技术支持热线400-655-8788获得帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    - 问题:启动时出现过高的栅极电压。
    - 解决方案:检查电路设计,确保栅极电阻 \( Rg \) 的正确设置,防止栅极电压过高。
    - 问题:工作温度超过额定范围。
    - 解决方案:使用散热片或风扇进行有效的散热,确保工作温度在安全范围内。
    - 问题:输出电流不稳定。
    - 解决方案:检查电路中的负载情况,确保负载电流在器件的最大额定值内。

    7. 总结和推荐


    K2560-VB是一款高性能的N沟道200V MOSFET,具备低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性。其广泛的应用范围和卓越的性能使其成为电力电子领域的理想选择。对于需要高效率和高可靠性的应用,我们强烈推荐使用K2560-VB。

K2560-VB参数

参数
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
配置 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~3V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 110mΩ@10V,125mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 30A
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2560-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2560-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2560-VB K2560-VB数据手册

K2560-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
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500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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