处理中...

首页  >  产品百科  >  2SK3293-VB

2SK3293-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,5A,RDS(ON),76mΩ@10V,88mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT89-3
供应商型号: 2SK3293-VB SOT89-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK3293-VB

2SK3293-VB概述


    产品简介


    2SK3293 N-Channel MOSFET
    2SK3293是一款由VBsemi公司生产的N沟道MOSFET,专为便携式设备中的负载开关设计。它采用无卤素材料制成,具有低导通电阻(RDS(on))和高耐压能力(60V),适用于各种电源管理应用。该器件采用SOT89封装,便于焊接和安装。

    技术参数


    以下是2SK3293的技术规格和性能参数:
    - 最大电压 (VDS):60V
    - 最大栅极-源极电压 (VGS):±20V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150°C):
    - TC = 25°C:ID = 29A
    - TC = 70°C:ID = 4A
    - 脉冲漏极电流 (IMD):未指定
    - 连续源极-漏极二极管电流 (IS):25°C时为7.2A
    - 最大功率耗散:
    - TC = 25°C:PD = 2.5W
    - TC = 70°C:PD = 1.6W
    - 存储温度范围:-55°C到150°C
    - 热阻:
    - 最大结到环境热阻:RthJA = 50°C/W
    - 最大结到引脚热阻:RthJF = 20°C/W
    - 工作温度范围:-55°C到150°C

    产品特点和优势


    2SK3293的主要特点是:
    - 无卤素:环保,符合RoHS标准。
    - TrenchFET® Power MOSFET:高效能、低导通电阻。
    - 低热阻:RthJA = 50°C/W,确保良好的散热性能。
    - 高可靠性:在极端环境下仍能保持稳定运行。
    这些特点使得2SK3293在便携式设备和其他电源管理应用中表现出色,具有较高的市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 负载开关:用于便携式设备如智能手机和平板电脑的电源管理电路中,以实现高效的电源控制。
    - 电池保护:用于电池充电和放电过程中的保护电路,防止过充和过放。
    使用建议:
    - 在设计电源管理电路时,需要考虑MOSFET的工作环境温度和散热条件,确保其在安全范围内运行。
    - 在进行脉冲电流操作时,需注意不超过额定的最大脉冲电流值。

    兼容性和支持


    2SK3293可以与大多数常见的便携式设备兼容,但需要根据具体应用场景进行设计。VBsemi公司提供详尽的技术支持和售后服务,包括技术咨询、故障排查等,帮助客户更好地使用和维护产品。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    - 问题1:器件在高温环境下无法正常工作。
    - 解决方案:检查散热措施,确保器件的温度不超出规定的最大温度限制。
    - 问题2:漏电流过高。
    - 解决方案:检查电路连接,确保没有短路或虚焊情况发生。
    - 问题3:功率耗散超过额定值。
    - 解决方案:调整电路设计,增加散热片或风扇以降低器件的温度。

    总结和推荐


    综上所述,2SK3293 N-Channel MOSFET是一款高性能、高可靠性的器件,适用于多种便携式设备和电源管理应用。它的低导通电阻、无卤素材料以及良好的散热性能使其在市场上具有很强的竞争力。建议在设计相关电路时优先考虑使用此款MOSFET。如果您对产品的具体应用有任何疑问,欢迎联系VBsemi的技术支持团队获取更多帮助。

2SK3293-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 5A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 76mΩ@10V,88mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SK3293-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK3293-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK3293-VB 2SK3293-VB数据手册

2SK3293-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
35+ ¥ 0.8746
100+ ¥ 0.8098
500+ ¥ 0.7773
1000+ ¥ 0.745
库存: 400000
起订量: 35 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:35
合计: ¥ 30.61
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831