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WFP75N08-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,80V,100A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.7Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块,如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。
供应商型号: WFP75N08-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WFP75N08-VB

WFP75N08-VB概述

    # WFP75N08 N-Channel 80V MOSFET 技术手册

    产品简介


    WFP75N08 是一种采用 TrenchFET® 技术的高性能 N 沟道 MOSFET。它适用于多种电力转换应用,如初级侧开关、同步整流、直流/交流逆变器和 LED 背光驱动。该器件具有出色的性能参数和可靠的设计,使其成为工业和消费电子领域的重要选择。

    技术参数


    以下是 WFP75N08 的关键技术规格:
    - 绝对最大额定值
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20V
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 80V
    - 连续漏极电流 \( ID \): 28.6A(在 25°C 时),24.9A(在 70°C 时)
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 350A(100μs 脉宽)
    - 最大功耗 \( PD \): 180W(在 25°C 时),120W(在 70°C 时)
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 80V
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \): 2.0V ~ 3.5V
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - 在 \( V{GS} = 10V \) 时为 7mΩ
    - 在 \( V{GS} = 4.5V \) 时为 9mΩ
    - 输入电容 \( C{iss} \): 3855pF(在 \( V{DS} = 40V \),\( V{GS} = 0V \) 时)
    - 输出电容 \( C{oss} \): 1120pF
    - 动态参数
    - 总栅极电荷 \( Qg \):
    - 在 \( V{DS} = 40V \),\( V{GS} = 10V \) 时为 35.5nC
    - 在 \( V{DS} = 40V \),\( V{GS} = 6V \) 时为 22nC
    - 开启延时时间 \( t{d(on)} \):
    - 在 \( V{DD} = 40V \),\( RL = 4\Omega \) 时为 12ns 到 24ns
    - 关闭延时时间 \( t{d(off)} \):
    - 在 \( V{DD} = 40V \),\( RL = 4\Omega \) 时为 32ns 到 64ns

    产品特点和优势


    WFP75N08 具有以下特点和优势:
    - 高可靠性: 经过 100% 的 \( Rg \) 和 UIS 测试,确保长期稳定运行。
    - 低导通电阻: 极低的导通电阻(7mΩ)使其在大电流应用中表现优异。
    - 快速开关速度: 出色的开关性能,适合高频应用。
    - 高温稳定性: 能够在广泛的温度范围内正常工作(-55°C 到 150°C)。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - LED 背光驱动: 用于液晶显示器和电视背光,提供高效能和长寿命。
    - 电源适配器: 用于笔记本电脑和智能手机充电器,提供高效的电源转换。
    使用建议
    - 确保适当的散热设计以维持器件温度在安全范围内。
    - 配合合适的门极驱动电路,优化开关速度和减少开关损耗。

    兼容性和支持


    WFP75N08 与常见的 PCB 板载设计兼容,适用于标准的 TO-220AB 封装。制造商提供详尽的技术支持文档和在线服务,以帮助客户在设计和应用过程中解决问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 设备温度过高。
    - 解决办法: 加强散热措施,如使用更大的散热片或改进通风设计。
    - 问题: 开关频率不稳定。
    - 解决办法: 检查门极驱动电路,确保适当的门极电阻和信号完整性。

    总结和推荐


    WFP75N08 是一款性能卓越、可靠的 N 沟道 MOSFET,特别适合需要高效、高速开关的应用场合。其低导通电阻和出色的温度稳定性使其在多种电力转换应用中表现出色。强烈推荐使用 WFP75N08 以获得最佳性能和可靠性。

WFP75N08-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 80V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.7V
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
配置 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 100A
最大功率耗散 -
通道数量 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

WFP75N08-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WFP75N08-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 WFP75N08-VB WFP75N08-VB数据手册

WFP75N08-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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