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K1284-Z-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N型场效应管,适用于多种应用场景。具有高达100V的漏极-源极电压、20V的栅极-源极电压和1.8V的门槽电压。在VGS=10V时,漏极-源极电阻为114m?,适用于广泛的电压工作范围。采用Trench技术,提供了更好的性能和可靠性
供应商型号: K1284-Z-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1284-Z-VB

K1284-Z-VB概述


    产品简介


    本手册介绍的是VBsemi公司生产的一款N沟道MOSFET(场效应晶体管),型号为K1284-Z。这款MOSFET属于TrenchFET®功率系列,具有较高的温度耐受性,适用于开关电源和逆变器等多种应用场合。其主要功能是在高频率条件下提供高效的电流控制,常用于PWM(脉宽调制)系统中作为主侧开关。

    技术参数


    主要电气参数
    - 漏极-源极电压 (VDS):100 V
    - 栅极-源极电压 (VGS):±20 V
    - 连续漏极电流 (TJ = 175 °C):13 A
    - 最大功率耗散 (TC = 25 °C):96 W
    - 工作结温范围:-55 °C 到 175 °C
    动态参数
    - 输入电容 (Ciss):950 pF (VGS = 0 V, VDS = 25 V, F = 1 MHz)
    - 输出电容 (Coss):120 pF
    - 反向转移电容 (Crss):60 pF
    - 总栅极电荷 (Qg):24-41 nC (VDS = 50 V, VGS = 10 V, ID = 3 A)
    - 上升时间 (tr):50-75 ns
    - 下降时间 (tf):60-90 ns
    静态参数
    - 阈值电压 (VGS(th)):4.5 V
    - 零栅压漏电流 (IDSS):1 μA (VDS = 100 V, VGS = 0 V)
    - 导通电阻 (RDS(on)):0.074 Ω (VGS = 10 V, ID = 3 A)

    产品特点和优势


    K1284-Z MOSFET采用了TrenchFET®技术,具有以下显著优势:
    - 高可靠性:能够在高达175°C的结温下正常工作,适用于极端环境。
    - 低损耗:优秀的导通电阻 (RDS(on)) 值,使得在大电流应用中损耗最小化。
    - 优化设计:专门针对PWM应用进行优化,适用于多种开关电源和逆变器电路。
    - 高电流容量:连续漏极电流高达13 A,峰值可达40 A,适合于高电流需求的应用。

    应用案例和使用建议


    K1284-Z MOSFET广泛应用于电源转换和控制系统中。例如,在逆变器电路中,它能有效地管理高频率开关,减少热损耗,提高系统效率。在使用过程中,需要注意:
    - 散热管理:确保良好的散热措施以维持安全的工作温度。
    - 驱动电路:适当的设计驱动电路以保证栅极电荷快速释放,减少开关损耗。
    - 保护电路:使用合适的保护电路防止过流和过压情况的发生。

    兼容性和支持


    K1284-Z MOSFET与大多数标准PCB封装兼容,易于安装和替换。制造商提供详尽的技术支持和售后服务,包括详实的产品文档和及时的技术咨询。用户可以访问官方网站下载最新的技术资料和更新。

    常见问题与解决方案


    问题1:MOSFET出现过热现象
    解决办法:检查散热装置是否有效,确保足够的空气流通,并使用合适的散热器和热界面材料。
    问题2:器件关断时有异常噪声
    解决办法:可能是因为寄生电感或电容导致的,检查电路布局,尽可能减小引线长度,使用低感抗封装。
    问题3:启动后无法正常工作
    解决办法:检查电路连接是否正确,确认所有电压和电流参数符合规范,必要时重新测量和调整。

    总结和推荐


    K1284-Z MOSFET以其出色的性能、耐用性和广泛的应用范围,在众多同类产品中脱颖而出。其优良的温度特性和高可靠性使其成为电源管理和控制领域的首选产品。对于需要高效率和稳定性的应用,强烈推荐选用K1284-Z MOSFET。

K1284-Z-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
栅极电荷 -
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 115mΩ@10V,121mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 18A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K1284-Z-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1284-Z-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K1284-Z-VB K1284-Z-VB数据手册

K1284-Z-VB封装设计

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