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K5A45DAA4-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V)\n一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: K5A45DAA4-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K5A45DAA4-VB

K5A45DAA4-VB概述

    K5A45DAA4 N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 技术手册



    产品简介



    K5A45DAA4 是一款高性能的 N-Channel 650V(D-S)功率 MOSFET,专为高效率电力转换设计。它采用 TO-220 FULLPAK 封装,具备低栅极电荷、改进的抗雪崩能力和快速恢复二极管等特点。这款 MOSFET 广泛应用于电源管理、电机驱动、太阳能逆变器和开关电源等领域。


    技术参数



    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |----------------------|-------|--------|-------|-----|
    | 漏源电压 650 | V |
    | 栅源电压 | ±30 V |
    | 连续漏极电流 3.8 A |
    | 脉冲漏极电流 18 A |
    | 单脉冲雪崩能量 | 325 mJ |
    | 反复雪崩电流 | 4 A |
    | 反复雪崩能量 | 6 mJ |
    | 最大功耗 30 | W |
    | 最高结温和存储温度范围 | -55 150 | °C |
    | 最大瞬态热阻 65 | °C/W|
    | 最大结点到外壳热阻 2.1 | °C/W|
    | 静态漏源击穿电压 | 650 V |
    | 栅源阈值电压 | 2.0 4.0 | V |
    | 栅源漏电流 25 | µA |
    | 漏源导通电阻 2.5 Ω |
    | 输入电容 1080 pF |
    | 输出电容 177 pF |
    | 互感电容 7.0 pF |
    | 总栅极电荷 48 nC |
    | 栅源电荷 12 nC |
    | 栅漏电荷 19 nC |
    | 开启延迟时间 14 ns |
    | 上升时间 20 ns |
    | 关断延迟时间 34 ns |
    | 下降时间 18 ns |


    产品特点和优势



    - 低栅极电荷:简化驱动要求,降低功耗。
    - 增强的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性:提高可靠性。
    - 完全表征的电容和雪崩电压及电流:确保性能的一致性和可预测性。
    - 符合 RoHS 指令:环保标准,适用于多种行业。


    应用案例和使用建议



    K5A45DAA4 适用于需要高效率和高可靠性的场合,如电源转换器和电机驱动系统。建议在设计电路时考虑其高频率操作特性,以充分发挥其性能优势。例如,在电源转换器中,应合理选择驱动电阻,以减少开关损耗并提高整体效率。


    兼容性和支持



    该产品支持广泛的电路板布局,并且易于与其他电子元件集成。厂商提供全面的技术支持和维护服务,包括详细的安装指南和故障排除文档,确保客户能够顺利部署和维护产品。


    常见问题与解决方案



    - 问题:启动时过热。
    - 解决方案:确保散热片正确安装,并检查是否有空气流通。
    - 问题:开关损耗过高。
    - 解决方案:调整栅极电阻以优化开关速度。
    - 问题:输出电压不稳定。
    - 解决方案:检查输入电源是否稳定,必要时增加滤波电容。


    总结和推荐



    K5A45DAA4 N-Channel 650V 功率 MOSFET 凭借其低栅极电荷、高可靠性以及广泛的应用范围,是一款非常值得推荐的产品。其高效能和广泛的适用性使其成为电源管理和电力转换领域的理想选择。如果您正在寻找一款高性能、可靠性强的 MOSFET,K5A45DAA4 将是一个不错的选择。

K5A45DAA4-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 4A
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
通道数量 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K5A45DAA4-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K5A45DAA4-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K5A45DAA4-VB K5A45DAA4-VB数据手册

K5A45DAA4-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
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