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K80E06K3A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,44mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.6Vth(V) 封装:TO220\n在工业电力系统中,该产品可用于开关电源、电机驱动器和UPS(不间断电源)等模块,以实现对电能的高效控制和转换。
供应商型号: K80E06K3A-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K80E06K3A-VB

K80E06K3A-VB概述

    K80E06K3A N-Channel 60V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K80E06K3A 是一款由 VBsemi 生产的 N-Channel 60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种器件具备高可靠性,能够应用于广泛的电子系统,如电源管理、电机驱动和通信设备。其独特的特性使其成为众多工业和消费类电子产品中不可或缺的组成部分。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压 (VDS):60V
    - 栅源电压 (VGS):± 20V
    - 连续漏极电流 (ID):120A(TC = 25°C);90A(TC = 100°C)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):350A
    - 最大源极电流 (IS):70A
    - 单次雪崩电流 (IAS):50A
    - 最大单次雪崩能量 (EAS):125mJ
    - 最大功率耗散 (PD):136W(TC = 25°C),3W(TA = 25°C)
    - 热阻抗参数
    - 结点至环境热阻 (RthJA):15-18°C/W(t ≤ 10秒);40-50°C/W(稳态)
    - 结点至外壳热阻 (RthJC):0.85-1.1°C/W
    - 开关性能
    - 上升时间 (tr):15-25ns
    - 下降时间 (tf):20-30ns
    - 其他特性
    - 工作温度范围:-55°C 至 175°C
    - 雪崩能力:最大单次雪崩能量为 125mJ(Duty Cycle ≤ 1%)

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:K80E06K3A 能承受高达 175°C 的结温,适用于高温环境下的应用。
    - TrenchFET® 技术:采用先进的沟槽工艺,保证低导通电阻 (RDS(on)) 和高击穿电压。
    - 雪崩耐受能力:可在单次雪崩情况下承受高达 125mJ 的能量,提供更高的安全性和稳定性。
    - 宽工作温度范围:-55°C 至 175°C,适应严苛的工业环境。
    - 快速开关性能:出色的开关速度特性,减少损耗并提高效率。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例
    - 电源管理系统:利用其低 RDS(on) 特性降低功率损耗。
    - 电机驱动电路:利用其高雪崩耐受能力和快速开关性能提升系统可靠性。

    - 使用建议
    - 在高电流应用中,确保良好的散热设计以避免热失控。
    - 针对高频开关应用,选择合适的驱动电路以充分利用其快速开关特性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性
    - K80E06K3A 与大多数标准 TO-220 封装的散热器兼容,便于安装和使用。
    - 支持和服务
    - 客户可联系 400-655-8788 服务热线获取技术支持和咨询服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:过高的漏极电流导致器件损坏
    - 解决方案:检查电路设计,确保不会超过器件的最大电流额定值。
    - 问题 2:长时间运行时温度过高
    - 解决方案:增加散热片面积,或者采用水冷等更有效的散热方式。
    - 问题 3:开关过程中出现振铃现象
    - 解决方案:在栅极和源极之间增加小电容,以抑制高频振荡。

    7. 总结和推荐


    K80E06K3A 是一款高性能的 N-Channel 60V MOSFET,具备出色的耐高温特性、高可靠性和快速开关性能。其广泛的应用场景和出色的性能使其成为各种工业和消费类电子系统的理想选择。强烈推荐在需要高可靠性、高效能的应用中使用 K80E06K3A。

K80E06K3A-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@10V,44mΩ@4.5V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.6V
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 120A
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K80E06K3A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K80E06K3A-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K80E06K3A-VB K80E06K3A-VB数据手册

K80E06K3A-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
1000+ ¥ 3.3111
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型号 价格(含增值税)
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