处理中...

首页  >  产品百科  >  K3101-VB

K3101-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F 一款Single N场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
供应商型号: K3101-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3101-VB

K3101-VB概述

    K3101-VB N-Channel 550V Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    K3101-VB 是一款高性能 N-Channel 550V 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种工业应用。这款 MOSFET 集成了低导通电阻、低输入电容等特性,使其在消费电子产品、服务器及电信电源供应器、焊接设备、感应加热系统、电机驱动装置等领域表现出色。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS): 550 V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 25 °C 下为 0.26 Ω
    - 最大栅极电荷 (Qg): 150 nC
    - 输入电容 (Ciss): 3094 pF
    - 输出电容 (Coss): 152 pF
    - 逆向转移电容 (Crss): 13 pF
    - 反向恢复电荷 (Qrr): 5.9 μC
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 281 mJ
    - 工作环境温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    1. 低面积特定导通电阻 和 低输入电容 (Ciss) 使得其具备出色的功率效率和快速开关性能。
    2. 减少电容切换损耗 和 高体二极管坚固性 使得其能够在多种严苛环境中稳定运行。
    3. 简单的栅极驱动电路 及 低损耗因子 (FOM: Ron x Qg) 使其在设计上更加灵活。
    4. 成本效益高:尽管性能优越,但价格相对较低,使其在市场上具有强大的竞争力。

    应用案例和使用建议


    - 消费电子:如 LCD 或等离子电视显示屏。建议选择合适的工作频率以避免高频下的热损耗。
    - 服务器和电信电源供应器:如开关电源 (SMPS),注意负载波动情况下的热管理。
    - 工业应用:如焊接、感应加热和电机驱动装置。使用时需注意散热管理,避免因过热导致的性能下降。
    - 电池充电器 和 电源因素校正 (PFC):合理配置栅极驱动电路以提高效率。

    兼容性和支持


    - K3101-VB 与现有的电源转换器设计具有良好的兼容性,但建议在复杂电路中进行必要的测试验证。
    - 厂商提供详尽的技术支持和售后服务,可确保产品的长期可靠运行。

    常见问题与解决方案


    - 问:在高频率下,产品是否会过热?
    - 答:可以通过增加散热片或改进散热设计来有效管理。此外,调整栅极驱动电路,减少门极充电时间,也能减缓发热。
    - 问:产品的栅极驱动电压是多少?
    - 答:标准的栅极驱动电压是 10V,也可以根据具体需求进行调整。
    - 问:如何优化产品性能?
    - 答:可以通过优化电路布局,减少寄生电感,确保良好的接地平面和降低泄漏电感,从而提高整体性能。

    总结和推荐


    K3101-VB N-Channel 550V 功率 MOSFET 凭借其卓越的性能、高效率和广泛的应用领域,在现代电子设备中展现出了极高的实用价值。考虑到其成本效益和可靠性,我们强烈推荐此产品用于需要高效、低功耗电源转换的应用场合。

K3101-VB参数

参数
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 550V
Id-连续漏极电流 18A
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3101-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3101-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3101-VB K3101-VB数据手册

K3101-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.8305
100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
1000+ ¥ 4.9667
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 58.3
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504