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K4081-S15-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,2A,RDS(ON),4300mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO251 可用于电源管理模块、太阳能光伏逆变器、 LED驱动器、电动工具驱动器等产品,产品具有高漏极电阻和低漏极电流,适用于多种领域和模块。
供应商型号: K4081-S15-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4081-S15-VB

K4081-S15-VB概述

    K4081-S15 N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    K4081-S15 是一款由台湾VBsemi公司生产的N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电力转换和控制应用。它具有低门电荷(Qg)和高可靠性,适用于各种工业控制、电机驱动和电源管理应用。

    技术参数


    - 主要参数:
    - VDS(最大耐压):650V
    - RDS(on)(导通电阻):5Ω @ VGS=10V
    - Qg(总门电荷):11nC
    - Configuration:单个MOSFET
    - RoHS 符合标准
    - 绝对最大额定值:
    - Drain-Source Voltage (VDS):650V
    - Gate-Source Voltage (VGS):±30V
    - 连续漏极电流(VGS = 10V, TC = 25°C):1.28A
    - 最大功耗(TC = 25°C):45W
    - 最大接合温度(Tj, Tstg):-55°C 至 +150°C
    - 其他电气特性:
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):165mJ
    - 重复雪崩电流(IAR):2A
    - 重复雪崩能量(EAR):6mJ
    - 峰值二极管恢复电压(dV/dt):2.8V/ns
    - 热阻(最大接合到环境):65°C/W
    - 热阻(最大接合到外壳):2.1°C/W

    产品特点和优势


    - 低门电荷:简化驱动需求,降低能耗。
    - 增强的耐用性:改进的栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。
    - 全面表征:栅极、雪崩及电压电流特性得到充分验证。
    - RoHS 合规:符合欧盟环保要求。

    应用案例和使用建议


    K4081-S15 MOSFET广泛应用于电力转换、电机驱动、电池管理和电源管理等领域。例如,在电池管理系统中,它可以有效地管理电池充电和放电过程,确保系统的稳定运行。在使用过程中,需要注意以下几点:
    - 温度管理:确保工作环境温度不超过150°C。
    - 驱动电路设计:选择合适的驱动电阻以避免过高的开关损耗。
    - 散热措施:适当的散热措施可以延长使用寿命并提高可靠性。

    兼容性和支持


    K4081-S15 与大多数常见的电子元器件和系统兼容。台湾VBsemi公司提供了详细的技术支持和售后服务,包括产品文档、应用指南和技术咨询。此外,客户还可以通过服务热线400-655-8788获得技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题:产品过热
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,增加散热片或使用散热器。
    - 问题:驱动电流不稳定
    - 解决方案:检查驱动电路设计,确保电阻匹配适当。
    - 问题:产品性能下降
    - 解决方案:确认工作温度是否超出最大限制,调整工作环境或增加冷却措施。

    总结和推荐


    K4081-S15是一款高性能、高可靠性的N-Channel MOSFET,适用于多种电力应用场合。它的低门电荷、良好的电气特性和增强的耐用性使其在市场上具备很强的竞争力。推荐给需要高效、可靠的电力管理解决方案的工程师和设计师。

    本文档总结了K4081-S15的技术规格和优势,并提供了一些使用建议和常见问题的解决方案。通过合理的设计和应用,K4081-S15 MOSFET将成为您项目中的得力助手。

K4081-S15-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 4.3Ω@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
配置 -
Id-连续漏极电流 2A
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K4081-S15-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4081-S15-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K4081-S15-VB K4081-S15-VB数据手册

K4081-S15-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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