处理中...

首页  >  产品百科  >  K1590-VB

K1590-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3 适用于低功率电路应用。其特点是低漏极电流和低功耗,适合要求电路功耗低、稳定性高的场合。采用Trench技术,具有较高的栅极-源极电阻,适合用于低功率应用。
供应商型号: K1590-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1590-VB

K1590-VB概述

    N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 技术手册



    1. 产品简介



    N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 是一款适用于多种应用的高性能电子元件。该MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)具备低阈值电压、低输入电容及快速开关速度等特点。它广泛应用于逻辑级接口、驱动器、电池供电系统以及固态继电器等领域。


    2. 技术参数



    - 基本规格
    - 漏源电压 \( V_{DS} \): 60 V
    - 最大栅源电压 \( V_{GS} \): ±20 V
    - 连续漏极电流 \( I_D \)(\( T_J = 150°C \)时):250 mA(室温下)
    - 脉冲漏极电流 \( I_{DM} \): 800 mA
    - 最大耗散功率 \( P_D \): 0.3 W(室温下)

    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 \( V_{DS} \): 60 V
    - 栅阈电压 \( V_{GS(th)} \): 1 V 至 2.5 V
    - 栅体泄漏 \( I_{GSS} \): ±10 µA(最大)
    - 零栅电压漏极电流 \( I_{DSS} \): 1 µA
    - 导通状态漏极电流 \( I_{D(on)} \): 500 mA(\( V_{GS} = 10 V \), \( V_{DS} = 7.5 V \))
    - 漏源导通电阻 \( R_{DS(on)} \): 2.8 Ω(\( V_{GS} = 10 V \)时)

    - 动态参数
    - 输入电容 \( C_{iss} \): 25 pF
    - 输出电容 \( C_{oss} \): 5 pF
    - 反向传输电容 \( C_{rss} \): 2 pF
    - 总栅电荷 \( Q_g \): 0.6 nC
    - 开启时间 \( t_{d(on)} \): 20 ns
    - 关闭时间 \( t_{d(off)} \): 30 ns


    3. 产品特点和优势



    - 低阈值电压:2 V(典型值),有助于降低功耗并简化电路设计。
    - 低输入电容:25 pF,有利于实现高速信号传输。
    - 高开关速度:25 ns,适合高频应用。
    - 易于驱动:无需缓冲器即可直接驱动,简化电路设计。
    - 低误差电压:提高信号传输的精确度。
    - 鲁棒性:具有1200V ESD保护,增强可靠性。


    4. 应用案例和使用建议



    - 直接逻辑级接口:可用于TTL/CMOS接口。
    - 驱动器:适用于控制继电器、电磁铁、灯、马达、显示器、存储器、晶体管等。
    - 电池供电系统:特别适用于需要长寿命和高效率的应用。
    - 固态继电器:可以用于各种电力控制场合。

    使用建议:在选择具体应用时,应根据所需的电流和电压范围进行适当的选择。同时,注意散热设计以避免过热问题。


    5. 兼容性和支持



    - 兼容性:与其他标准SOT-23封装的产品具有良好的兼容性。
    - 支持:提供详细的使用手册和技术支持,确保客户能够顺利使用产品。


    6. 常见问题与解决方案



    - 问题1: 设备过热
    - 解决方案: 确保合理的散热设计,增加散热片或风扇。
    - 问题2: 开关速度慢
    - 解决方案: 检查电源电压和负载情况,确保符合产品规范。
    - 问题3: 驱动能力不足
    - 解决方案: 适当增大栅极电阻,确保有足够的驱动能力。


    7. 总结和推荐



    该N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 在多个方面表现优秀,尤其适用于需要高速、低功耗和可靠性的应用场景。考虑到其低误差电压、易于驱动等特点,强烈推荐用于各类逻辑级接口和驱动器设计。在选择和使用过程中,请仔细参考技术手册中的详细规格和指南。

K1590-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
配置 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Id-连续漏极电流 300mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K1590-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1590-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K1590-VB K1590-VB数据手册

K1590-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
140+ ¥ 0.1945
300+ ¥ 0.1801
500+ ¥ 0.1729
3000+ ¥ 0.1657
库存: 400000
起订量: 140 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:140
合计: ¥ 27.23
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504