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K3515-01MR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F 一款Single N场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
供应商型号: K3515-01MR-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3515-01MR-VB

K3515-01MR-VB概述

    K3515-01MR-VB N-Channel 550V Power MOSFET



    1. 产品简介




    K3515-01MR-VB 是一款 N-Channel 550V 电源 MOSFET,专为高效能和高可靠性设计。这款 MOSFET 主要应用于消费电子产品、服务器和电信电源供应系统、工业设备、电池充电器以及开关模式电源(SMPS)等领域。它的关键特性包括低区域特定导通电阻(Ron)、低输入电容(Ciss)、低容性开关损耗以及高体二极管坚固性。


    2. 技术参数




    - 额定电压:VDS = 550 V
    - 导通电阻:RDS(on) = 0.26 Ω(VGS = 10 V, ID = 10 A)
    - 最大总栅极电荷:Qg = 150 nC
    - 最大输入电容:Ciss = 3094 pF
    - 最大输出电容:Coss = 152 pF
    - 最大反向传输电容:Crss = 13 pF
    - 连续漏电流:ID = 18 A(TC = 25 °C, VGS = 10 V)
    - 脉冲漏电流:IDM = 56 A
    - 最大功耗:PD = 60 W
    - 最大结温:TJ, Tstg = -55 to +150 °C
    - 栅源电压:VGS = ±20 V


    3. 产品特点和优势




    K3515-01MR-VB 的主要优势包括:

    - 低区域特定导通电阻:有助于减少损耗并提高效率。
    - 低输入电容和输出电容:降低了开关过程中的能量损失,提高了开关速度。
    - 高体二极管坚固性:增强了 MOSFET 的整体可靠性。
    - 优化的设计和简单的栅极驱动电路:使得系统设计更加简便,同时降低了成本。

    这些特性使其在多种应用场景中表现出色,具有较高的市场竞争力。


    4. 应用案例和使用建议




    应用案例:
    - 消费电子产品:如液晶电视或等离子电视的显示器。
    - 服务器和电信电源供应系统:用于电源管理单元(SMPS)。
    - 工业设备:如焊接、感应加热和电机驱动。
    - 电池充电器:用于充电电路。
    - 功率因数校正(PFC):用于改善电源质量。

    使用建议:
    - 优化电路布局:确保电路布局尽可能短,以减少寄生电感,从而提高性能。
    - 散热设计:考虑良好的散热设计,避免长时间工作在高温环境下,以延长使用寿命。
    - 合理选择驱动电阻:适当选择栅极电阻(Rg),可以有效控制开关时间和降低开关损耗。


    5. 兼容性和支持




    K3515-01MR-VB 适用于广泛的电子元器件和设备,特别是在需要高压和高效率的应用中。制造商提供详细的技术文档和支持,以帮助用户更好地理解和使用该产品。


    6. 常见问题与解决方案




    问题一:如何确定栅极驱动电压?
    - 解决方案:根据产品规格书,推荐使用 10 V 的栅极驱动电压。可以通过调整栅极电阻(Rg)来优化驱动信号,以达到最佳效果。

    问题二:如何防止过热损坏?
    - 解决方案:确保设备工作在规定的温度范围内,并进行适当的散热设计。可以使用热敏电阻监测结温,并采取相应的散热措施。


    7. 总结和推荐




    K3515-01MR-VB N-Channel 550V MOSFET 在高效能和高可靠性方面表现出色,尤其适用于高压和高频应用。其优化设计、低成本和简单驱动电路是该产品的主要优势。因此,我们强烈推荐此产品用于各类需要高压、大电流和高效率的应用场景。

    希望本篇文章能够帮助您全面了解 K3515-01MR-VB MOSFET,并为您的项目提供有益的参考。

K3515-01MR-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Vds-漏源极击穿电压 550V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Id-连续漏极电流 18A
栅极电荷 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3515-01MR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3515-01MR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3515-01MR-VB K3515-01MR-VB数据手册

K3515-01MR-VB封装设计

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