处理中...

首页  >  产品百科  >  W341-VB

W341-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款双 N 型和 P 型沟道功率 MOSFET,采用槽沟技术制造。该产品具有双极性设计,能够同时控制正负极电流,适用于各种功率控制和开关应用。封装为 SOP8,易于安装和集成,适用于各种电路设计。±30V,9/-6A,RDS(ON),15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.65Vth(V)
供应商型号: W341-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) W341-VB

W341-VB概述


    产品简介


    本产品是一款N-和P-沟道30V(D-S)MOSFET,属于栅极场效应晶体管的一种。这款MOSFET具备出色的电气性能和可靠性,适用于多种电子设备,特别是移动电源等便携式电力系统。该产品采用先进的TrenchFET®技术,实现了低导通电阻和高电流处理能力,能够满足不同应用场景的需求。

    技术参数


    - 电压参数
    - 漏源击穿电压(VDS):N-Channel 30V;P-Channel 30V
    - 电流参数
    - 连续漏极电流(ID):TC = 25 °C 时为8A;TC = 70 °C 时为6.8A
    - 脉冲漏极电流(IDM):40A
    - 单脉冲雪崩电流(IAS):N-Channel 10A;P-Channel 20A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):N-Channel 5mJ;P-Channel 20mJ
    - 热参数
    - 最大功率耗散(PD):TC = 25 °C 时为3.1W;TC = 70 °C 时为2W
    - 电阻参数
    - 导通电阻(RDS(on)):N-Channel 0.018Ω(VGS = 10V);P-Channel 0.040Ω(VGS = -10V)
    - 容性参数
    - 输入电容(Ciss):N-Channel 510pF;P-Channel 620pF
    - 输出电容(Coss):N-Channel 95pF;P-Channel 115pF
    - 反向传输电容(Crss):N-Channel 33pF;P-Channel 57pF

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:N-Channel 的导通电阻仅为 0.018Ω(VGS = 10V),P-Channel 的导通电阻为 0.040Ω(VGS = -10V)。低导通电阻可以显著降低功耗和发热。
    2. 高电流处理能力:支持高达 40A 的脉冲漏极电流,适用于高功率应用。
    3. 出色的温度系数:VGS(th) 温度系数仅为 -4.1mV/°C(N-Channel)和 +5mV/°C(P-Channel),保证了良好的温度稳定性。
    4. 高可靠性:经过 100% Rg 和 UIS 测试,符合RoHS和无卤素标准,确保长期使用可靠性。

    应用案例和使用建议


    该MOSFET广泛应用于电机驱动、便携式电力系统等场景。例如,在电机驱动电路中,通过合理配置MOSFET,可以实现高效的电流控制和转换。在实际应用中,应注意以下几点:
    - 散热管理:尽管产品具有较好的热稳定性,但在高功率应用中仍需采取有效的散热措施,以防止过热损坏。
    - 电路设计:选择合适的栅极驱动电阻(Rg),并优化电路布局,减少杂散电感的影响,从而提高整体性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET采用标准SO-8封装,与市面上大多数相关设备兼容。
    - 技术支持:厂商提供详尽的技术手册和支持服务,包括在线文档、样品测试和技术咨询等。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:如何确定合适的工作电流?
    - 解决方案:根据应用场景的具体需求,参考技术手册中的额定电流值,并考虑一定的安全裕量。确保实际工作电流不超过最大额定电流。
    - 问题二:如何判断MOSFET是否过热?
    - 解决方案:在使用过程中监控其温度变化,如温度异常升高,应立即切断电源并采取相应散热措施。

    总结和推荐


    总体来看,这款N-和P-沟道30V MOSFET凭借其出色的电气性能、高可靠性及广泛的适用范围,是许多应用场景的理想选择。尤其适合需要高效电流控制和低功耗的场合。强烈推荐给需要高性能MOSFET的用户。

W341-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 9A,6A
Rds(On)-漏源导通电阻 15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V
FET类型 N+P沟道
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 ±1.65V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 ±30V
通道数量 -
配置 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

W341-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

W341-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 W341-VB W341-VB数据手册

W341-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
4000+ ¥ 1.1597
库存: 400000
起订量: 20 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:20
合计: ¥ 27.22
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504