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K3989-01MR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n高频调制:其较低的漏极-源极电阻使其适用于高频调制模块,如无线通信系统中的射频功率放大器。\nN沟道,650V,2A,RDS(ON),1700mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: K3989-01MR-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3989-01MR-VB

K3989-01MR-VB概述

    K3989-01MR-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    K3989-01MR-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的N-沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它具有低导通电阻和高耐压能力,适用于多种工业应用,如电源转换、电机控制和照明系统等。

    技术参数


    - 工作电压:最大漏源电压 \( V{DS} \) 为 650V
    - 栅源电压:最大 \( V{GS} \) 为 ±30V
    - 持续漏极电流:\( ID \) 为 1.28A(TC=100°C)
    - 脉冲漏极电流:\( I{DM} \) 为 8A
    - 最大功耗:\( PD \) 为 25W(TC=25°C)
    - 单脉冲雪崩能量:\( E{AS} \) 为 165mJ
    - 重复雪崩电流:\( I{AR} \) 为 2A
    - 重复雪崩能量:\( E{AR} \) 为 6mJ
    - 结至壳体热阻:\( R{thJC} \) 为 2.1°C/W
    - 结至环境热阻:\( R{thJA} \) 为 65°C/W
    - 反向恢复峰值电压:\( dV/dt \) 为 2.8V/ns
    - 栅电荷:总栅电荷 \( Qg \) 为 11nC

    产品特点和优势


    - 低栅电荷:低栅电荷意味着简单的驱动需求,降低了整体系统的复杂性。
    - 增强型耐用性:改进的栅极、雪崩和动态 \( dV/dt \) 耐用性增强了产品的可靠性和稳定性。
    - 全面的电容和雪崩特性:完全表征的电容和雪崩电压、电流特性,确保了精确的应用设计。
    - 符合RoHS标准:无铅,环保材料,适用于广泛的工业和消费应用。

    应用案例和使用建议


    K3989-01MR-VB 在许多电源转换和电机控制系统中都有广泛应用。例如,在电机控制中,该MOSFET可以用于驱动电机的逆变器电路,提高效率和可靠性。在使用时,建议遵循以下几点:
    - 确保正确的散热设计,避免过高的温度导致的性能下降。
    - 使用适当的驱动电路,以确保MOSFET的开关损耗最小化。
    - 遵循制造商提供的应用示例电路图,确保正确连接。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET可与其他标准N-沟道MOSFET配合使用,适用于各种电源转换器和逆变器。
    - 支持和服务:台湾VBsemi提供详尽的技术支持和售后服务,确保客户能够充分利用该产品的功能和优势。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 开关损耗大
    - 解决方案: 确保使用合适的栅极驱动器和良好的布局,减少寄生电感的影响。
    - 问题: 热管理不佳
    - 解决方案: 选择合适的散热片,并确保良好的空气流通,以保持适当的温度范围。
    - 问题: 持续漏极电流不足
    - 解决方案: 检查电路设计是否符合规范,并确保供电电压稳定。

    总结和推荐


    K3989-01MR-VB N-Channel MOSFET 凭借其低栅电荷、高耐压能力和改进的耐用性,在多种应用中表现出色。其出色的性能和广泛的兼容性使其成为电源转换和电机控制领域的理想选择。强烈推荐该产品给需要高性能和可靠性的用户。

K3989-01MR-VB参数

参数
最大功率耗散 -
配置 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.7Ω@ 10V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 2A
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3989-01MR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3989-01MR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3989-01MR-VB K3989-01MR-VB数据手册

K3989-01MR-VB封装设计

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