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P6N60-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,600V,8A,RDS(ON),780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220\n适用于电源管理模块,如开关电源、电池充放电管理系统等,提供稳定、高效的电力控制和保护
供应商型号: P6N60-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) P6N60-VB

P6N60-VB概述


    产品简介


    P6N60 N-Channel MOSFET 是一种适用于多种高压电源转换应用的高性能功率场效应晶体管(Power MOSFET)。这款 MOSFET 主要用于开关模式电源供应器(Switch Mode Power Supply, SMPS)、不间断电源(Uninterruptible Power Supply)以及高速电力开关系统。其独特的设计使得它在各种高电压、高电流的应用场景中表现出色。

    技术参数


    - 漏源击穿电压 (VDS):600 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):10 V 时为 0.780 Ω
    - 最大总栅极电荷 (Qg max.):49 nC
    - 输入电容 (Ciss):1400 pF
    - 输出电容 (Coss):180 pF
    - 栅极-源极电荷 (Qgs):13 nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd):20 nC
    - 最大连续漏极电流 (ID):25 °C 时为 8.0 A,100 °C 时为 5.8 A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):37 A
    - 雪崩能量 (EAS):290 mJ
    - 热阻抗 (RthJA):最大值为 62 °C/W
    - 最高结温 (TJ):-55°C 到 +150°C

    产品特点和优势


    P6N60 N-Channel MOSFET 的显著特点包括低栅极电荷(Qg),这降低了驱动需求;改进的门极、雪崩和动态 dV/dt 耐久性;完全表征的电容和雪崩电压及电流。这些特性使其在高可靠性、高效率的应用中具有显著优势。此外,该 MOSFET 还具备高耐压能力和低导通电阻,使其非常适合高电流、高频率的应用场景。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关模式电源 (SMPS):在这一应用中,P6N60 MOSFET 可以提供高效率的电源转换。
    - 不间断电源 (UPS):其高可靠性和快速响应能力使其在 UPS 系统中发挥关键作用。
    - 高频率电力开关:例如在高频逆变器中,可以有效降低损耗并提高整体系统效率。
    使用建议
    - 在高电流应用中,应确保散热良好,以避免因过热导致的损坏。
    - 配合合适的驱动电路使用,可以进一步优化其性能。
    - 定期检查和维护,确保长期稳定运行。

    兼容性和支持


    P6N60 MOSFET 支持多种离线 SMPS 拓扑结构,如有源钳位正激拓扑(Active Clamped Forward)和主开关(Main Switch)。制造商提供了详尽的技术支持和售后服务,包括使用手册、样品申请和技术咨询等。客户可通过电话(400-655-8788)或官方网站获取更多信息和支持。

    常见问题与解决方案


    1. Q:产品过热怎么办?
    - A: 确保良好的散热措施,如增加散热片或采用水冷系统。
    2. Q:MOSFET 损坏后如何更换?
    - A: 建议由专业技术人员进行更换,并遵循正确的安装步骤。
    3. Q:如何优化驱动电路?
    - A: 参考官方手册,调整合适的驱动电阻和栅极充电时间,以达到最佳效果。

    总结和推荐


    P6N60 N-Channel MOSFET 在多个关键指标上表现优异,特别是在高可靠性、高效率和低损耗方面。其低栅极电荷和增强的耐久性使其成为开关模式电源和其他高功率应用的理想选择。对于需要高效、可靠的电源转换解决方案的用户,我们强烈推荐 P6N60 MOSFET。通过合理的散热措施和正确的驱动电路,用户可以获得最佳性能和使用寿命。

P6N60-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 8A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
Rds(On)-漏源导通电阻 780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
最大功率耗散 -
配置 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

P6N60-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

P6N60-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 P6N60-VB P6N60-VB数据手册

P6N60-VB封装设计

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