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KF3N60F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V)\n一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: KF3N60F-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KF3N60F-VB

KF3N60F-VB概述

    KF3N60F N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    KF3N60F 是一款高性能的N沟道功率MOSFET,具有650V的额定击穿电压。它主要用于电力转换、电机驱动、照明控制、焊接设备等需要高电压处理的应用场景。该MOSFET具备低栅极电荷(Qg)特性,使其驱动要求简单,适合于多种开关应用。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):650V
    - 导通电阻 (RDS(on)):在VGS=10V时为2.5Ω
    - 总栅极电荷 (Qg):最大值48nC
    - 栅源电荷 (Qgs):12nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):19nC
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 最大功率耗散 (PD):30W(在TC=25°C)
    - 雪崩能量 (EAS):325mJ
    - 重复雪崩电流 (IAR):4A
    - 重复雪崩能量 (EAR):6mJ
    - 峰值二极管恢复电压 (dV/dt):2.8V/ns
    - 热阻 (RthJA):最大65°C/W
    - 热阻 (RthJC):最大2.1°C/W

    产品特点和优势


    KF3N60F的主要特点包括:
    - 低栅极电荷:低Qg值降低了驱动需求,简化了设计。
    - 增强的栅极、雪崩及动态dV/dt耐受性:提高了产品的可靠性和耐用性。
    - 全面表征的电容和雪崩电压、电流:确保了性能的稳定性和一致性。
    - 符合RoHS指令:绿色环保,适用于各种行业标准。

    应用案例和使用建议


    KF3N60F 在多个工业和消费电子应用中表现出色。例如,在电机驱动系统中,它可以用于高效地管理电源,提高系统的整体效率。在开关电源设计中,由于其低栅极电荷和快速开关速度,KF3N60F 可以显著降低开关损耗,提升系统的可靠性。
    使用建议:
    - 确保在高温环境下工作时,注意散热,避免过热导致损坏。
    - 选择合适的驱动电路,以实现最佳的开关性能。

    兼容性和支持


    KF3N60F 具有良好的兼容性,可以与各种电源管理和控制系统无缝集成。制造商提供详细的技术文档和专业的技术支持,帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - Q: 设备在高温环境下运行时出现过热现象。
    - A: 确保有效的散热措施,如增加散热片或采用强制风冷。
    - Q: 驱动波形不稳定。
    - A: 检查驱动电路的设计,确保其符合MOSFET的工作条件。
    - Q: 设备在启动时表现不稳定。
    - A: 优化启动电路设计,确保稳定的电源供应。

    总结和推荐


    KF3N60F 是一款高性能的N沟道功率MOSFET,具有卓越的耐受性和高效的开关性能。适用于各种高压和大功率应用,其低栅极电荷和全面的特性表征使其在市场上具有较强的竞争力。对于需要高效、可靠电源管理的系统,我们强烈推荐使用KF3N60F。
    推荐指数:★★★★☆
    通过其出色的表现和广泛的应用范围,KF3N60F 成为了市场上极具吸引力的选择。

KF3N60F-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 4A
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

KF3N60F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KF3N60F-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KF3N60F-VB KF3N60F-VB数据手册

KF3N60F-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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