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K4178-ZK-E1-AY-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252\n该场效应管适用于需要高电流和低压降的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。
供应商型号: K4178-ZK-E1-AY-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4178-ZK-E1-AY-VB

K4178-ZK-E1-AY-VB概述

    N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    产品类型:N-Channel 30-V MOSFET
    主要功能:用于开关电源管理中的OR-ing和服务器应用。
    应用领域:适用于数据中心、服务器电源、电信基础设施等高可靠性应用。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 30 | - | - | V |
    | 连续漏电流(TC = 25 °C) | ID | - | 90 | - | A |
    | 阈值电压 | VGS(th) | 1.0 | 2.5 | - | V |
    | 开启状态电阻 | RDS(on) | - | 0.005(VGS = 10 V) | - | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | - | 525 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | - | 270 | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 107 | - | nC |
    | 门极电阻 | Rg | - | 1.4 | - | Ω |

    3. 产品特点和优势


    - 高效率:采用TrenchFET®技术,确保低导通电阻RDS(on),从而实现高效率。
    - 高可靠性:100%通过Rg和UIS测试,符合RoHS标准。
    - 宽工作温度范围:-55到175°C的存储和操作温度范围,适合严苛环境应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 数据中心:适用于服务器电源管理中的OR-ing应用,确保在多个电源路径之间可靠切换。
    - 电信基础设施:用于电信设备中的DC/DC转换器,提高系统整体稳定性。

    使用建议:
    - 确保电路板设计合理,避免热耗散问题。
    - 在高温环境下使用时,需特别注意散热措施以维持设备稳定运行。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET可直接替换同类封装下的其他N沟道MOSFET,方便更换升级。
    - 支持:制造商提供详细的技术文档和支持,包括安装指南和故障排除指南。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率不稳定 | 检查栅极电阻(Rg)设置,确保合适的阻值。 |
    | 热耗散过大 | 增加散热片或改进散热设计。 |
    | 启动延迟时间长 | 检查并优化电路布局,降低线路电感。 |

    7. 总结和推荐


    这款N-Channel 30-V MOSFET具备高效的电力管理和宽温范围操作能力,特别适合需要高可靠性的数据中心和电信基础设施应用。强烈推荐使用,特别是对于追求高效率和稳定性的项目来说,它是一个不错的选择。

K4178-ZK-E1-AY-VB参数

参数
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 60A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@10V,11mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K4178-ZK-E1-AY-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4178-ZK-E1-AY-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K4178-ZK-E1-AY-VB K4178-ZK-E1-AY-VB数据手册

K4178-ZK-E1-AY-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
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