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MMDF2N06VLR2G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,6A,RDS(ON),27mΩ@10V,32mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:SOP8 在工业自动化领域,该产品可用于工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块,提高系统的运行效率和稳定性。
供应商型号: MMDF2N06VLR2G-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) MMDF2N06VLR2G-VB

MMDF2N06VLR2G-VB概述

    MMDF2N06VLR2G Dual N-Channel 60 V MOSFET 技术手册

    产品简介


    MMDF2N06VLR2G 是一款双沟道N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用SO-8封装。这款MOSFET适用于多种高要求的应用场景,如电源管理、电机驱动和高频开关电路。其最大电压为60V,具有低导通电阻(RDS(on))和高工作温度范围(-55°C 至 +175°C),使其成为高性能应用的理想选择。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大耐压(VDS) | 60 | V |
    | 导通电阻(RDS(on)) | 0.028 (VGS=10V)
    0.030 (VGS=4.5V) | Ω |
    | 持续漏极电流(ID) | 7 | A |
    | 脉冲漏极电流(IDM) | 28 | A |
    | 最大功率耗散(PD) | 4 | W |
    | 额定工作温度范围(TJ, Tstg) | -55至+175°C | °C |

    产品特点和优势


    1. TrenchFET® 功率技术:采用先进的TrenchFET技术,提供更低的导通电阻和更高的开关速度。
    2. 高可靠性:通过100% Rg和UIS测试,确保产品在极端条件下的可靠性和耐用性。
    3. 宽温度范围:能够在-55°C至+175°C的温度范围内正常工作,适用于各种严苛环境。
    4. 高效率:低导通电阻确保了在不同负载条件下都能实现高效能量转换。

    应用案例和使用建议


    MMDF2N06VLR2G 在多种应用中表现出色,如:
    - 电源管理:可作为DC-DC转换器中的开关元件,提供高效的电压调节。
    - 电机驱动:用于控制直流电机的速度和方向,保证平稳运行。
    - 高频开关电路:适合用于高频逆变器和开关电源。
    使用建议:
    - 在选择合适的栅极驱动电阻(Rg)时,确保在指定频率下进行测试,以避免不必要的功耗和开关损耗。
    - 为了获得最佳性能,在高温环境下使用时,注意散热设计,确保不会超过额定功率耗散。

    兼容性和支持


    - 兼容性:此款MOSFET与大多数标准SO-8封装的元件兼容,便于集成到现有电路中。
    - 支持和服务:VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,如有任何疑问或需要进一步的帮助,可以联系我们的服务热线 400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:启动延迟时间较长
    - 解决方案:增加栅极驱动电阻值,降低驱动信号上升沿的斜率。
    2. 问题:热耗散过多
    - 解决方案:加强散热措施,如增加散热片或改善PCB布局以提高散热效果。
    3. 问题:栅极泄漏电流过高
    - 解决方案:检查电路设计,确保栅极驱动器和信号线之间的屏蔽良好,减少外界干扰。

    总结和推荐


    总体来看,MMDF2N06VLR2G 双沟道N沟道功率MOSFET凭借其低导通电阻、高可靠性、宽温度范围和高效能等特点,非常适合用于电源管理和电机驱动等应用。强烈推荐该产品给需要高性能电子元器件的设计工程师和制造商。如果您有任何进一步的需求或问题,欢迎随时联系我们。

MMDF2N06VLR2G-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 6A
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@10V,32mΩ@4.5V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

MMDF2N06VLR2G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

MMDF2N06VLR2G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 MMDF2N06VLR2G-VB MMDF2N06VLR2G-VB数据手册

MMDF2N06VLR2G-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.8212
4000+ ¥ 1.742
库存: 400000
起订量: 15 增量: 4000
交货地:
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型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
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