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K1399-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3 适用于低功率电路应用。其特点是低漏极电流和低功耗,适合要求电路功耗低、稳定性高的场合。采用Trench技术,具有较高的栅极-源极电阻,适合用于低功率应用。
供应商型号: K1399-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1399-VB

K1399-VB概述

    N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 是一款高性能的电子元器件,广泛应用于各种电路设计中。它主要用于驱动继电器、电磁阀、灯泡、锤子、显示屏、存储器、晶体管等设备。此外,该产品也适用于电池供电系统和固态继电器。其核心特性使其能够在低压环境下实现高速操作,具有低输入和输出泄漏电流的特点。

    2. 技术参数


    - 电压范围:漏源电压 \( V{DS} \) 高达 60V
    - 电流能力:连续漏极电流 \( ID \) 在室温下可达 250mA,最大脉冲漏极电流 \( I{DM} \) 可达 800mA
    - 电阻:在 \( V{GS} = 10 \) V 时,导通电阻 \( R{DS(on)} \) 为 2.8Ω
    - 电容特性:输入电容 \( C{iss} \) 为 25pF,输出电容 \( C{oss} \) 为 5pF
    - 开关特性:开关时间短,如关断时间 \( td(off) \) 仅为 30ns
    - 温度范围:工作温度范围为 -55°C 到 150°C

    3. 产品特点和优势


    - 低阈值电压:典型值为 2V,使得 MOSFET 容易驱动,无需缓冲。
    - 快速切换速度:25ns 的开关速度,适合高频率应用。
    - 低输入电容:仅 25pF,减少了驱动所需的时间和能量。
    - 低功耗:由于低导通电阻,减少了功耗。
    - 环保:符合 RoHS 指令,无卤素,绿色制造。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 直接逻辑级接口:可以与 TTL/CMOS 接口直接连接。
    - 驱动应用:例如,用于驱动继电器、电磁阀、LED 灯光等。
    - 电池供电系统:适用于需要低功耗的应用场景。
    使用建议:
    - 由于该 MOSFET 具有快速开关特性,应特别注意布线以减少寄生电感和电容,确保信号完整性。
    - 在高温环境中使用时,建议增加散热片,以防止过热导致的损坏。

    5. 兼容性和支持


    该 MOSFET 采用标准的 SOT-23 封装,易于与其他标准器件兼容。制造商提供全面的技术支持和维护服务,包括详细的用户指南和技术文档。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:如何确定最佳栅极驱动电压?
    - 解答:根据图示,\( V{GS} \) 通常在 4.5V 和 10V 之间,具体取决于电流需求。例如,如果需要大电流,则应选择较高的 \( V{GS} \)。

    - 问题 2:如何计算功率耗散?
    - 解答:功率耗散 \( PD \) 可以通过公式 \( PD = V{DS} \times ID \) 计算。在极端条件下(如高温),可能需要降额使用。

    7. 总结和推荐


    这款 N-Channel 60-V MOSFET 在低压、高速开关、高可靠性等方面表现优异。特别适合于电池供电系统、高频率驱动应用等场景。由于其绿色环保特性,也是许多现代电子产品的重要组成部分。强烈推荐在需要高性能、低功耗应用中使用。

K1399-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 300mA
最大功率耗散 -
通道数量 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K1399-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

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K1399-VB封装设计

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