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K3519-01-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n500V,13A,RDS(ON),660mΩ@10V,20Vgs(±V);3.1Vth(V) 封装:TO220一款Single N结构的功率MOSFET,具有中等电压和电流特性,该器件适用于电源模块.
供应商型号: K3519-01-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3519-01-VB

K3519-01-VB概述

    K3519-01-VB MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    本产品是一款N沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET),型号为K3519-01-VB。它具备较低的栅极电荷(Qg)和改进的栅极耐久性,适用于多种高效率电力转换应用,如开关电源、电机驱动、不间断电源等。

    2. 技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):500 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):在 VGS = 10 V 时为 0.660 Ω
    - 最大总栅极电荷 (Qg):81 nC
    - 栅源电荷 (Qgs):20 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):36 nC
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 (VDS):500 V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):2.0 V 至 4.0 V
    - 零栅电压漏电流 (IDSS):最大 25 μA
    - 门限温度范围 (TJ, Tstg):-55 °C 至 +150 °C
    - 动态参数
    - 开关时间 (td(on), tr, td(off), tf)
    - 反向恢复时间 (trr):370 ns 到 550 ns
    - 反向恢复电荷 (Qrr):4.4 μC 至 6.5 μC
    - 反向恢复峰值电流 (IRRM):21 A 至 31 A

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷:简化了驱动要求。
    - 提高栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性:增加了产品的可靠性。
    - 完全特征化的电容和雪崩电压:确保一致性和稳定性。
    - 符合 RoHS 指令:满足环保要求。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:这款 MOSFET 适合用于高效率的电力转换场合,如开关电源和电机驱动系统。
    - 使用建议:由于其出色的开关特性和低导通电阻,建议在需要高效能转换的应用中使用。设计时应注意驱动电路的布局,减少寄生电感和漏电感的影响。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与现有设计和标准兼容,便于集成。
    - 支持和维护:供应商提供全面的技术支持和售后服务,以确保客户能够顺利应用和维护该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:驱动电路设计不当导致 MOSFET 过热。
    - 解决方案:优化驱动电路设计,适当调整驱动电阻和频率。
    - 问题2:过高的 dV/dt 导致反向恢复问题。
    - 解决方案:降低 dV/dt,增加缓冲电路,改善散热设计。

    7. 总结和推荐


    总体而言,K3519-01-VB MOSFET 具有优秀的性能和可靠性,特别适合高效率电力转换应用。其低栅极电荷和改进的耐用性使其成为市场上极具竞争力的产品。推荐在需要高性能、高可靠性的应用中使用此款 MOSFET。
    如需更多技术支持或产品信息,请联系我们的服务热线:400-655-8788,访问官方网站 www.VBsemi.com 获取更多信息。

K3519-01-VB参数

参数
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 500V
Rds(On)-漏源导通电阻 660mΩ@ 10V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.1V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 13A
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3519-01-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3519-01-VB数据手册

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K3519-01-VB封装设计

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