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K16E60W-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 用于工业电机调速控制的电力电子调速器中,该型号的MOSFET可以实现高效的电能转换和调节,提高设备的运行效率。
供应商型号: K16E60W-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K16E60W-VB

K16E60W-VB概述

    K16E60W-VB N-Channel 650V (D-S) Super Junction MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K16E60W-VB 是一款高性能的N通道超级结MOSFET,适用于多种高电压和高功率的应用场合。它具有低导通电阻(RDS(on))、快速开关特性和较低的反向恢复时间和反向恢复电荷。这些特性使其成为电信、照明、消费电子、工业和可再生能源应用的理想选择。

    2. 技术参数


    - 最大耐压(VDS):650V
    - 导通电阻(RDS(on)):0.19Ω(VGS=10V)
    - 最大总栅极电荷(Qg):106nC
    - 最大输入电容(Ciss):2322pF
    - 最大输出电容(Coss):105pF
    - 最大反向传输电容(Crss):-4pF
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):60A
    - 最大连续漏极电流(ID):13A(TC=100°C)
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS):367mJ
    - 最大功耗(PD):208W
    - 最大工作结温(TJ):-55°C 至 +150°C
    - 热阻(RthJA):62°C/W
    - 热阻(RthJC):0.5°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻(RDS(on)):0.19Ω,确保了低损耗操作。
    - 低栅极电荷(Qg):71nC,降低了开关损耗。
    - 低反向恢复时间(trr):160ns,减少了反向恢复过程中的损耗。
    - 低反向恢复电荷(Qrr):1.2μC,减少了开关过程中的能量损失。
    - 高可靠性:通过了严格的测试,确保在极端条件下的稳定运行。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电信:服务器和电信电源供应系统。建议使用合适的散热设计以保证长期稳定运行。
    - 照明:高压气体放电灯(HID)和荧光灯球泡。需要考虑驱动电路的设计,以减少损耗并提高效率。
    - 消费电子:ATX电源供应系统。建议采用适当的PCB布局以降低寄生电感的影响。
    - 工业:焊接设备和电池充电器。需要关注驱动电路的稳定性,确保在大电流下的可靠工作。
    - 可再生能源:太阳能逆变器。建议进行详细的热管理设计,以防止过热导致的损坏。
    - 开关模式电源(SMPS):需要特别注意驱动电路的设计,以确保低损耗和高效能。

    5. 兼容性和支持


    K16E60W-VB 与大多数标准驱动电路和电源管理系统兼容。厂商提供详尽的技术文档和支持,包括设计指南、应用笔记和故障排除指南。如果在使用过程中遇到问题,可以通过厂商的服务热线获得帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:温度过高导致设备失效。
    解决方案:确保良好的散热设计,使用散热片或风扇进行强制冷却。
    - 问题:开关损耗高。
    解决方案:优化驱动电路,降低栅极电荷(Qg)和输出电容(Coss)的影响。
    - 问题:反向恢复时间长。
    解决方案:选择合适的驱动电路,减小反向恢复时间和反向恢复电荷(Qrr)。

    7. 总结和推荐


    K16E60W-VB 在导通电阻、开关速度和可靠性方面表现出色,非常适合于高电压和高功率的应用场合。它的低损耗特性和高可靠性使其成为许多领域的理想选择。强烈推荐在需要高性能MOSFET的应用中使用此产品。

K16E60W-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 20A
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 30V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K16E60W-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K16E60W-VB数据手册

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K16E60W-VB封装设计

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