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K2185-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: K2185-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2185-VB

K2185-VB概述


    产品简介


    Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)
    Power MOSFET是一种广泛应用于电源管理领域的关键组件。它具有低导通电阻(RDS(on))和低输入电容(Ciss),能够显著降低开关损耗和传导损耗。本产品特别适用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)等领域,同时也在工业和照明系统(如高强放电灯(HID)和荧光灯)中发挥重要作用。

    技术参数


    - 最大耐压(VDS): 650 V
    - 最大导通电阻(RDS(on)): 1.0 Ω(在25°C时)
    - 最大总栅极电荷(Qg): 16 nC
    - 最大栅源电荷(Qgs): 10.3 nC
    - 最大栅漏电荷(Qgd): 11.7 nC
    - 最大脉冲耗散功率(PD): 140 W
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS): 860 mJ
    - 工作温度范围(TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C
    - 热阻(RthJA): 63°C/W

    产品特点和优势


    1. 低开关损耗和传导损耗:通过低栅极电荷和输入电容,有效减少了系统中的能量损失。
    2. 高可靠性:具有高雪崩能量评级,确保在极端条件下也能正常工作。
    3. 快速响应:低输出电容和反向转移电容,提高了系统的动态响应速度。
    4. 高效率:能够在各种工作条件和负载下保持高效的转换能力。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 服务器和电信电源:用于高效能的电源转换和管理。
    - 照明系统:例如高强放电灯(HID)和荧光灯,提高能源利用效率。
    - 工业应用:如电机驱动和控制装置,提供稳定的电流和电压调节。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应考虑MOSFET的工作温度和散热要求,确保热管理得当。
    - 考虑到栅极电荷和反向恢复特性,选择合适的栅极驱动电路,以减少开关损耗。
    - 在测试和调试阶段,建议使用专业的仪器设备来测量和验证MOSFET的各项参数,确保系统的稳定性和可靠性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET与大多数常见的电源管理和控制系统兼容,可以轻松集成到现有系统中。
    - 支持:制造商提供了详尽的技术文档和在线技术支持,帮助用户快速上手并解决问题。用户可以通过制造商的官网和客服热线获取更多资源和支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题:在高温环境下工作时,MOSFET出现过热现象。
    - 解决方案:加强散热措施,如增加散热片或采用液冷系统,确保MOSFET工作在安全温度范围内。

    - 问题:MOSFET在开关过程中出现明显的损耗。
    - 解决方案:检查栅极驱动电路的设计,确保正确的驱动电压和波形,以减少开关损耗。

    - 问题:MOSFET在脉冲工作中表现出不稳定性。
    - 解决方案:优化电路布局,减少寄生电感和杂散电容的影响,确保电路稳定运行。

    总结和推荐


    这款Power MOSFET凭借其卓越的性能和可靠的设计,在多种应用场景中表现出色。它不仅能够大幅降低系统能耗,还具备高效率和高可靠性,适合用于高性能电源管理系统、照明系统及工业自动化等领域。强烈推荐在需要高效、可靠电源管理的应用中使用此产品。

K2185-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 7A
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2185-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2185-VB数据手册

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K2185-VB封装设计

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型号 价格(含增值税)
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