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MI4812-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,6.8/6.0A,RDS(ON),22mΩ@10V,26mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.73Vth(V) 封装:SOP8\n在LED照明系统中,可用于设计中功率的LED驱动模块,实现LED灯具的亮度调节和颜色控制。其中等漏极电阻和稳定的特性使其成为LED照明系统中的理想选择,提高LED灯具的性能和寿命。
供应商型号: MI4812-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) MI4812-VB

MI4812-VB概述

    MI4812 Dual N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    MI4812 是一款由VBsemi公司生产的双N沟道30V(D-S)功率MOSFET。它具有低导通电阻、高电流承载能力和出色的热性能。此款MOSFET广泛应用于电视顶盒(Set Top Box)、低电流DC/DC转换器等领域。

    技术参数


    - 电压规格
    - 最大栅源电压 (VGS): ±20V
    - 漏源击穿电压 (VDS): 30V
    - 最大漏极电流 (IDM): 30A
    - 电流规格
    - 持续漏极电流 (ID):
    - TC = 25°C: 6.2A
    - TC = 70°C: 5.2A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 30A
    - 持续源漏二极管电流 (IS):
    - TC = 25°C: 2.25A
    - TA = 25°C: 1.48A
    - 热特性
    - 最大结到环境热阻 (RthJA): 58°C/W
    - 最大结到引脚热阻 (RthJF): 38°C/W
    - 电气特性
    - 开态漏源电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10V, ID = 5A: 0.02Ω
    - VGS = 4.5V, ID = 4A: 0.026Ω
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS):
    - VDS = 30V, VGS = 0V: 1µA
    - 动态特性
    - 输入电容 (Ciss): 586pF
    - 输出电容 (Coss): 117pF
    - 反向传输电容 (Crss): 55pF
    - 驱动参数
    - 关断延时时间 (td(off)): 10-20ns
    - 关断下降时间 (tf): 6-12ns
    - 导通上升时间 (tr): 9-18ns

    产品特点和优势


    MI4812 具有以下几个独特功能和优势:
    1. TrenchFET® 技术: 这种先进的工艺提供了更低的导通电阻,提高了整体效率。
    2. 无卤素材料: 符合IEC 61249-2-21标准,符合RoHS 2002/95/EC指令,对环境保护有益。
    3. 100% UIS 和 Rg 测试: 确保每个产品都经过严格的质量测试,保证可靠性和稳定性。
    4. 优秀的热管理能力: 通过低热阻设计,提高了散热性能,延长了使用寿命。

    应用案例和使用建议


    MI4812 在电视顶盒和其他低电流DC/DC转换器应用中表现出色。在实际应用中,考虑到其较高的脉冲电流能力,可以用于需要较高瞬时电流的应用场景。使用建议包括:
    - 确保良好的散热设计,以避免过热。
    - 使用低热阻基板,如FR4基板,以增强散热效果。
    - 考虑到其较低的关断延迟时间和上升时间,适用于高速开关电路的设计。

    兼容性和支持


    MI4812 支持与各种标准SO-8封装兼容的电子元器件。VBsemi提供全面的技术支持和维护服务,包括在线技术支持和电话咨询服务。如有任何问题,可以通过服务热线400-655-8788联系他们。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 如何确定最佳的工作温度范围?
    - 解决方案: 查阅手册中的绝对最大额定值和典型工作条件,确保温度不超过-55°C至150°C。
    2. 问题: 需要测量其在不同温度下的性能如何?
    - 解决方案: 参考手册中的“On-Resistance vs. Junction Temperature”图表,可以看到不同温度下性能的变化。
    3. 问题: 如何处理过高的栅源电压?
    - 解决方案: 遵循手册中的绝对最大额定值,确保VGS不超过±20V。

    总结和推荐


    MI4812 是一款高性能、高可靠性的双N沟道30V MOSFET,适用于多种应用场景。其卓越的热管理和低导通电阻使其成为低电流DC/DC转换器和其他类似应用的理想选择。强烈推荐使用这款MOSFET,特别是在要求高效能和高稳定性的场合。

MI4812-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
配置 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.73V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 6.8A,6A
Vds-漏源极击穿电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 22mΩ@10V,26mΩ@4.5V
栅极电荷 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

MI4812-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

MI4812-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 MI4812-VB MI4812-VB数据手册

MI4812-VB封装设计

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