处理中...

首页  >  产品百科  >  V5862G-VB

V5862G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,110A,RDS(ON),4.5mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.8Vth(V) 封装:TO252\n适用于需要中等功率、中等电流的电子系统,如电源管理、LED驱动和工业控制等领域的模块中。
供应商型号: V5862G-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) V5862G-VB

V5862G-VB概述

    # V5862G N-Channel 60V MOSFET 技术手册解析

    一、产品简介


    产品类型及功能
    V5862G 是一款基于 TrenchFET 技术的高性能 N-Channel 60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它被广泛应用于电源管理、电机驱动以及高能效转换系统等领域。该产品以其低导通电阻、高热稳定性以及出色的开关性能著称。
    主要功能及应用领域
    1. 主要功能:用于实现电压控制与电流放大功能,尤其适合高频开关电路设计。
    2. 应用领域:
    - 开关电源(SMPS)。
    - 驱动器模块。
    - 工业电机控制。
    - 汽车电子系统。

    二、技术参数


    以下是 V5862G 的核心技术参数:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | 60 V |
    | 栅极-源极阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | 4.0 V |
    | 导通状态漏极电流 | ID(on) 97 | A |
    | 导通状态电阻 | RDS(on) 0.0050 Ω |
    | 绝对最大栅极电压 | VGS | ±20 V |
    | 脉冲耐受电流 | IDM 290 | A |
    | 热阻抗 | RthJA | 50 °C/W |
    工作环境参数:
    - 最高工作温度:175°C。
    - 最低工作温度:-55°C。
    三、产品特点与优势
    特点
    1. 高集成度:采用 TrenchFET 技术,有效提升器件密度与性能。
    2. 低导通电阻:RDS(on) 在典型条件下的值为 0.0050Ω,显著降低功率损耗。
    3. 强抗热冲击能力:具有较低的热阻(RthJA = 50°C/W),适用于高温环境。
    4. 耐用性测试:所有器件均通过 Rg 和 UIS 测试验证。
    优势
    - 节能高效:在高频开关模式下提供卓越的能效表现。
    - 广泛兼容性:可直接替换多种传统 MOSFET,降低开发成本。
    - 长寿命:在极端环境下具备出色的可靠性和稳定性。
    四、应用案例与使用建议
    应用场景
    1. 开关电源:V5862G 在高效率直流-直流变换器中表现优异,尤其适用于适配器和充电器设计。
    2. 电机驱动:适合工业小型电机的驱动模块,降低运行温度并提高效率。
    3. 逆变器模块:由于其优异的开关性能,在光伏逆变器中有广泛应用。
    使用建议
    - 选择合适的散热片以匹配 RthJA 数据,避免器件过热失效。
    - 设计电路时确保栅极电阻(Rg)设置合理,通常在 1~3Ω 范围内即可。
    - 在脉冲负载情况下,建议通过监测热阻特性来调整工作周期。
    五、兼容性与支持
    兼容性
    V5862G 支持多种封装形式,可与现有 PCB 板兼容。此外,其引脚布局遵循行业标准,便于更换和升级。
    厂商支持
    VBsemi 提供全面的技术文档和技术支持服务,包括详尽的安装指南、常见问题解答(FAQ)及在线客服。

    六、常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 调整栅极电阻至最优值,推荐 1~3Ω |
    | 热失控现象 | 安装高效散热片并检查热阻参数 |
    | 导通后发热明显 | 检查负载电流是否超出额定值 |
    七、总结与推荐
    综合评估
    V5862G N-Channel 60V MOSFET 凭借其优异的性能指标、高性价比以及广泛的适用范围,在众多应用场景中表现出色。它的低导通电阻和良好的热稳定性使其成为现代电子系统不可或缺的核心组件。
    推荐意见
    强烈推荐该产品用于需要高效能且高可靠性的电力电子项目。无论是消费类电子产品还是工业控制系统,V5862G 都能够满足严格的设计需求。
    联系服务热线:400-655-8788 获取更多技术支持!

V5862G-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.8V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Id-连续漏极电流 110A
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 4.5mΩ@10V,15mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

V5862G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

V5862G-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 V5862G-VB V5862G-VB数据手册

V5862G-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 2.9798
2500+ ¥ 2.8502
库存: 400000
起订量: 10 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 34.98
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504