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K100S04N1L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,40V,130A,RDS(ON),3.5mΩ@10V,40mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.3Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: K100S04N1L-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K100S04N1L-VB

K100S04N1L-VB概述


    产品简介


    产品类型与功能
    K100S04N1L是一款N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),采用了先进的TrenchFET®技术制造。这种MOSFET具备极低的导通电阻(RDS(on))和高电流处理能力,非常适合应用于高效能电力转换系统中。
    主要功能
    - 用于同步整流
    - 广泛应用于电源管理领域
    应用领域
    - 开关电源设计
    - 高效率DC-DC转换器
    - 各种消费电子及工业控制设备

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | 40 | - | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 1.2 | 2.5 | - | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 0.0016 | 0.0020 | - | Ω |
    | 栅极电荷 | Qg | 120 | 180 | - | nC |
    | 漏极连续电流 | ID | 96 | 120 | 29 | A |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55°C | 150°C | - | °C |

    产品特点和优势


    - 高效的开关性能:得益于先进的TrenchFET技术,该MOSFET在高频工作条件下表现出色,能够显著降低功耗。
    - 卓越的热稳定性:最大结到壳体热阻为0.33°C/W,确保长时间稳定运行。
    - 可靠的设计验证:100% Rg和UIS测试保证了产品在极端条件下的可靠性。
    - 适用广泛:适用于多种电力管理和开关控制场景,特别是在需要高效能的环境中表现优异。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    K100S04N1L常被用作同步整流器,特别适合于笔记本电脑适配器、手机充电器以及小型家用电器的开关电源模块中。其高电流承载能力和低导通电阻使其成为这些应用的理想选择。
    使用建议
    1. 电路布局优化:确保良好的散热设计,避免因过热导致的性能下降。
    2. 动态负载管理:根据实际负载情况调整驱动信号频率,以实现最佳效率。
    3. 兼容性测试:在实际部署前进行充分的兼容性测试,特别是与其他关键元器件的协同作用。

    兼容性和支持


    - 兼容性:K100S04N1L采用标准TO-252封装,易于与其他主流电路板设计兼容。
    - 支持服务:VBsemi提供详尽的技术文档和技术支持,帮助客户快速解决问题并加速产品上市进程。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开机瞬间发热严重 | 改善散热设计,增加外部散热片或风扇 |
    | 输出波形出现异常波动 | 检查驱动电路设计是否符合规范 |
    | 设备启动后无法正常工作 | 确认输入电压及电流是否符合要求 |

    总结和推荐


    综合评估
    K100S04N1L凭借其高效能、高可靠性以及广泛的适用性,在众多电力电子应用中表现出色。无论是从技术规格还是实际应用来看,它都是一款值得信赖的产品。
    推荐结论
    强烈推荐使用K100S04N1L作为高效能电力管理的核心元器件,尤其适合对功率密度和效率有较高要求的应用场景。同时,VBsemi提供的全方位技术支持将极大简化用户的开发流程。

K100S04N1L-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 3.5mΩ@10V,40mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 130A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.3V
配置 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 40V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K100S04N1L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K100S04N1L-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K100S04N1L-VB K100S04N1L-VB数据手册

K100S04N1L-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.247
100+ ¥ 4.8584
500+ ¥ 4.4697
2500+ ¥ 4.2753
库存: 400000
起订量: 10 增量: 2500
交货地:
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型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
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