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K3147STL-E-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N型场效应管,适用于多种应用场景。具有高达100V的漏极-源极电压、20V的栅极-源极电压和1.8V的门槽电压。在VGS=10V时,漏极-源极电阻为114m?,适用于广泛的电压工作范围。采用Trench技术,提供了更好的性能和可靠性
供应商型号: K3147STL-E-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3147STL-E-VB

K3147STL-E-VB概述

    K3147STL-E N-Channel 100V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    K3147STL-E 是一款高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效能电力转换和开关应用设计。它采用了VBsemi公司的TrenchFET®专利技术,具有高击穿电压(100V)、低导通电阻和高工作温度范围(-55°C至175°C)。这些特性使得该产品特别适合于开关电源、逆变器和其他需要高效率和高可靠性的应用场合。

    技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS 100 | V |
    | 阈值电压 | VGS(th) 2.0 | 4.0 | V |
    | 栅极漏电流 | IGSS | ±100 nA |
    | 漏电流 | IDSS 100 | µA |
    | 导通电阻 | RDS(on) 0.05 | 0.140 | Ω |
    | 转导电容 | gfs | 35 S |
    | 输入电容 | Ciss | 950 1100 | pF |
    | 输出电容 | Coss | 120 150 | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | 60 90 | pF |

    产品特点和优势


    - 高效节能:得益于TrenchFET®技术,K3147STL-E 的导通电阻非常低,能够显著降低功耗并提高效率。
    - 宽温范围:支持高达175°C的工作温度,确保在恶劣环境下稳定运行。
    - 快速开关:具备优异的动态性能,适用于PWM优化的应用场景。
    - 可靠性保障:所有批次均经过100%栅极电阻测试,符合RoHS标准,绿色环保。

    应用案例和使用建议


    K3147STL-E 主要应用于开关电源的初级侧开关电路中。例如,在笔记本电脑适配器或手机充电器的设计中,这款MOSFET可以有效减少热量产生,延长设备寿命。为了进一步提升系统的稳定性,建议在实际应用时结合适当的散热措施,并且避免长时间处于绝对最大额定条件之下操作。

    兼容性和支持


    K3147STL-E 采用标准TO-252封装形式,易于集成到现有设计中。VBsemi公司提供全面的技术文档和支持服务,包括详细的规格说明书、应用指南及故障排查手册,帮助客户快速上手并解决问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开机瞬间出现过流现象 | 检查外部电路连接是否正确 |
    | 温度升高超出预期 | 添加更多散热片或改进通风 |
    | 工作频率不稳定 | 确认供电电压是否符合要求 |

    总结和推荐


    综上所述,K3147STL-E N-Channel 100V MOSFET 是一款兼具高性能与经济性的理想选择。无论是从技术指标还是实际应用角度来看,它都能满足大多数现代电子设备的需求。因此,我们强烈推荐此款产品给那些寻求高品质且性价比高的解决方案的企业和个人用户。如需更多信息,请联系VBsemi官方客服热线400-655-8788获取进一步的帮助。

K3147STL-E-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
Id-连续漏极电流 18A
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 115mΩ@10V,121mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K3147STL-E-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3147STL-E-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3147STL-E-VB K3147STL-E-VB数据手册

K3147STL-E-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
2500+ ¥ 1.4911
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