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K4178-E1-AY-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252\n该场效应管适用于需要高电流和低压降的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。
供应商型号: K4178-E1-AY-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4178-E1-AY-VB

K4178-E1-AY-VB概述

    # N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术概述

    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一种高性能的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),属于VBsemi公司的TrenchFET®系列。该器件设计用于提升电源效率和减少导通电阻,适用于多种高功率应用场景。它的主要功能包括提供极低的导通电阻(RDS(on))和出色的开关性能,使其成为服务器、OR-ing电路及DC/DC转换器等关键领域的理想选择。此MOSFET完全符合RoHS指令2011/65/EU,适合环保型电子产品设计。

    技术参数


    以下是N-Channel 30-V (D-S) MOSFET的主要技术参数:
    - 额定电压(VDS):30V
    - 最大连续漏极电流(ID):60A(TJ=175°C下测试)
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):250A
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS):94.8mJ
    - 工作温度范围(TJ, Tstg):-55°C 至 175°C
    - 热阻抗(RthJA):32°C/W(最大值)
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - 在VGS = 10V时:0.005Ω
    - 在VGS = 4.5V时:0.006Ω
    - 输入电容(Ciss):525pF(VDS = 15V,VGS = 0V,f = 1MHz)
    这些参数表明,该器件具有卓越的电气特性和耐高温性能,在恶劣环境中仍能保持稳定运行。

    产品特点和优势


    该MOSFET具备以下显著特点和优势:
    1. 低导通电阻:在典型条件下,RDS(on)可低至0.005Ω,大幅降低功耗。
    2. 快速开关性能:具有良好的动态特性,适用于高频开关电路。
    3. 高可靠性测试:所有器件均通过100% Rg和UIS测试,确保产品品质。
    4. 环保合规性:完全符合RoHS标准,适用于全球环保法规要求的产品开发。
    凭借这些优势,该器件在市场上具有强大的竞争力,并被广泛应用于数据中心、通信设备等领域。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器电源系统:利用其低功耗和高效能特性,为大型服务器提供稳定可靠的电力支持。
    - DC/DC转换器:适合作为降压或升压模块的核心组件,提升系统整体效率。
    - OR-ing电路:实现负载共享和故障保护功能。
    使用建议
    为了最大化性能并避免潜在问题,在使用该器件时需注意以下几点:
    - 确保驱动电压(VGS)正确设置以达到最佳导通电阻。
    - 提供适当的散热措施以防止过热现象。
    - 在高电流应用中,建议采用多颗并联方式分布负载。

    兼容性和支持


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 采用标准TO-252封装形式,与市场上主流焊接工艺兼容良好。此外,VBsemi提供了详尽的技术文档和支持服务,包括样品申请、设计咨询和技术培训等。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 调整驱动电路参数以提高信号响应速度。 |
    | 温度过高 | 添加外部散热片或改善PCB布局设计。 |
    | 导通电阻偏大 | 检查是否选择了正确的驱动电压。 |

    总结和推荐


    综上所述,N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元件,非常适合需要高功率密度和长寿命的应用场景。其卓越的导通电阻、快速开关能力和严格的生产测试标准使其成为电源管理解决方案的理想选择。我们强烈推荐此产品给寻求高效能、低成本电源管理方案的设计工程师们。
    如需进一步了解详细信息或购买相关产品,请联系VBsemi官方客服热线:400-655-8788。

K4178-E1-AY-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@10V,11mΩ@4.5V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 60A
栅极电荷 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K4178-E1-AY-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4178-E1-AY-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K4178-E1-AY-VB K4178-E1-AY-VB数据手册

K4178-E1-AY-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
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