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K1623L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n100V,18A,RDS(ON),127mΩ@10V,132mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220\n一款单N沟道功率MOSFET,适用于多种低功率功率电子应用。具有高性能和可靠性,特别适合要求高效率和低功率的电源和驱动器应用。
供应商型号: K1623L-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1623L-VB

K1623L-VB概述

    # K1623L-VB N-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    K1623L-VB 是一款由VBsemi推出的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用先进的TrenchFET®技术。该产品主要用于隔离式直流-直流转换器(DC/DC Converter)等高压功率转换应用。K1623L-VB具有较高的工作温度范围(175°C),低热阻封装,确保了优异的电气特性和可靠性。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压 | 100 V |
    | 栅源阈值电压 | 2 | 4 V |
    | 漏源导通电阻 | 0.127 | 0.130 | 0.170 | Ω |
    | 连续漏极电流 (TC=25°C) | 18 A |
    | 最大脉冲漏极电流 68 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 200 | mJ |
    | 最大功耗 (TC=25°C) 3.75 | W |
    工作环境
    - 存储温度范围:-55 至 175°C
    - 结温范围:-55 至 175°C
    - 环境温度范围:-55 至 175°C
    热阻参数
    - 结点到环境热阻(板上安装):40 °C/W
    - 结点到外壳热阻:0.4 °C/W

    产品特点和优势


    K1623L-VB的主要优势包括:
    - 高耐温性能:能够承受高达175°C的工作温度,适用于严苛环境下的工业应用。
    - 低热阻封装:减少热应力,提高可靠性和寿命。
    - 强大的抗雪崩能力:可承受200mJ的单脉冲雪崩能量,增强系统的鲁棒性。
    - 低导通电阻:0.127Ω(在10V栅源电压下),降低功耗,提高效率。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 隔离式直流-直流转换器:作为开关元件用于高压电源设计中,特别适用于数据中心、通信设备等对效率和稳定性要求较高的场合。
    使用建议
    - 在设计隔离式DC/DC转换器时,需要合理规划电路布局以确保良好的散热,特别是在高温环境下使用。
    - 为避免因温度过高导致器件损坏,建议使用适当的散热片或其他冷却装置。
    - 在选择驱动器时,注意匹配合适的栅极电阻(如1.7Ω至3.3Ω),以优化开关时间和减少电磁干扰。

    兼容性和支持


    - K1623L-VB采用标准TO-220AB封装,便于与多种电路板进行集成。
    - 客户可以联系VBsemi的销售和技术支持团队获取更多技术支持和服务。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何选择合适的栅极电阻?
    - 解决方案:选择1.7Ω至3.3Ω之间的栅极电阻,既能有效控制开关速度,又不会产生过大的栅极驱动损耗。
    问题2:在高温环境下运行是否会降低器件寿命?
    - 解决方案:使用适当的散热措施(如散热片)并保持良好的电路布局,可有效延长器件寿命。

    总结和推荐


    K1623L-VB是一款高效、可靠的N沟道MOSFET,特别适合应用于高压、高功率的隔离式直流-直流转换器。其高耐温性能、低热阻封装和强抗雪崩能力使其在市场上具备较强的竞争力。如果你需要在苛刻条件下工作的高压转换器,K1623L-VB是值得推荐的选择。

K1623L-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~4V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 127mΩ@10V,132mΩ@4.5V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 18A
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1623L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1623L-VB数据手册

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K1623L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
1000+ ¥ 1.6556
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