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UT4404L-S08-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8 适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
供应商型号: UT4404L-S08-R-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT4404L-S08-R-VB

UT4404L-S08-R-VB概述

    N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    本产品为N沟道30V(D-S)功率MOSFET,型号为UT4404L-S08-R。它采用TrenchFET®技术,主要用于笔记本CPU核心的高侧同步整流操作。该MOSFET具有多种优异的电气特性和可靠性,适用于高要求的应用场景。

    技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 \( V{DS} \):30V
    - 栅源电压 \( V{GS} \):±20V
    - 连续漏电流 \( ID \):在\( TA = 25^\circ \text{C} \)时为13A;在\( TA = 70^\circ \text{C} \)时为7A
    - 脉冲漏电流 \( I{DM} \):45A
    - 单脉冲雪崩电流 \( I{AS} \):20A
    - 雪崩能量 \( E{AS} \):21mJ
    - 最大功耗 \( PD \):在\( TA = 25^\circ \text{C} \)时为4.1W;在\( TA = 70^\circ \text{C} \)时为2.5W
    - 工作结温范围:\(-55^\circ \text{C} \)至\( 150^\circ \text{C} \)
    - 静态特性:
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \):30V
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \):在\( V{GS} = 10V \)时为0.008Ω;在\( V{GS} = 4.5V \)时为0.011Ω
    - 输入电容 \( C{iss} \):800pF
    - 输出电容 \( C{oss} \):165pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \):73pF
    - 总栅电荷 \( Qg \):在\( V{DS} = 15V, V{GS} = 10V \)时为15nC
    - 动态特性:
    - 开启延迟时间 \( t{d(on)} \):16ns(VDD=15V,RL=1.4Ω)
    - 上升时间 \( tr \):12ns
    - 关断延迟时间 \( t{d(off)} \):16ns
    - 下降时间 \( tf \):10ns

    产品特点和优势


    - 无卤素设计:确保产品的环保性能。
    - TrenchFET®技术:提高效率和降低开关损耗。
    - 高侧同步整流优化:特别适合笔记本CPU核心的高侧开关。
    - 全面测试:所有产品经过100% \( Rg \) 和100% \( UIS \) 测试,保证产品质量。

    应用案例和使用建议


    - 笔记本CPU核心:该MOSFET常用于高侧同步整流,以提高系统效率。例如,在笔记本电脑中作为核心电源管理单元的高侧开关。
    - 使用建议:为了最大化性能和可靠性,在选择电路板布局时,要确保引脚与散热路径良好连接。同时,建议使用适当的散热措施以防止过热。

    兼容性和支持


    - 该产品适用于SO-8封装,与其他标准SO-8封装设备兼容。
    - 厂商提供技术支持和售后服务,包括但不限于故障排除和产品咨询。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何判断MOSFET是否过热?
    - 解决方案:可以通过测量结温来判断。超过150°C的温度通常表明过热。

    - 问题2:MOSFET关断时出现震荡现象怎么办?
    - 解决方案:检查外围电路的匹配电阻是否合适,适当调整电阻值。

    总结和推荐


    综上所述,UT4404L-S08-R是一款高性能的N沟道30V MOSFET,广泛应用于笔记本CPU核心等高要求场景。其出色的性能和可靠性使其成为同类产品的首选之一。我们强烈推荐在需要高效率和可靠性的场合使用此产品。

UT4404L-S08-R-VB参数

参数
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@10V,15mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 12A
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 800mV~2.5V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT4404L-S08-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT4404L-S08-R-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT4404L-S08-R-VB UT4404L-S08-R-VB数据手册

UT4404L-S08-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ ¥ 1.1656
100+ ¥ 1.0793
500+ ¥ 1.0361
4000+ ¥ 0.9929
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型号 价格(含增值税)
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