处理中...

首页  >  产品百科  >  K1083-VB

K1083-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,45A,RDS(ON),27mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO220F用于快速充电器中的功率开关元件,实现对电池的快速充电,适用于手机快充充电器、电动车快充充电器等设备。
供应商型号: K1083-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1083-VB

K1083-VB概述

    K1083-VB N-Channel 60V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    K1083-VB 是一款 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有出色的隔离性能和高电压隔离能力。它广泛应用于各种电力电子系统中,如电源管理、电机控制、新能源汽车等领域。本产品采用 TO-220 全封装,符合 RoHS 标准,具备卓越的热管理和动态响应特性。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 60 | - | - | V |
    | 门源阈值电压 | VGS(th) | 1.0 | - | 3.0 | V |
    | 零门电压漏极电流 | IDSS | - | - | 250 | µA |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | - | 0.027 | - | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | - | 1500 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | - | - | pF |
    | 门级电荷 | Qg | - | - | 95 | nC |
    | 门源电荷 | Qgs | - | 27 | - | nC |
    | 门漏电荷 | Qgd | - | - | 46 | nC |
    | 关断延迟时间 | td(off) | -55 | - | - | ns |
    | 导通延迟时间 | td(on) | - | 19 | - | ns |

    产品特点和优势


    1. 隔离性能优越:提供 2.5kVRMS 的高压隔离,确保电气安全。
    2. 温度适应性强:能在 -55°C 到 +175°C 的极端环境中稳定工作。
    3. 低热阻设计:减少功率损耗,提高效率。
    4. 高可靠性和耐用性:具有出色的动态 dV/dt 评级,能够应对频繁开关的应用需求。
    5. 无铅化制造:符合环保标准,更加绿色可持续。

    应用案例和使用建议


    K1083-VB MOSFET 可以用于各类电源转换和驱动电路中。例如,在电源管理系统中,它可以作为高频开关元件,有效降低能耗并提升系统效率。对于需要承受高温或恶劣环境的应用,如新能源汽车中的逆变器和充电桩,该产品表现出色。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应考虑 K1083-VB 的散热问题,尤其是在高温环境下运行时。
    - 使用低杂散电感的布局,有助于减少电磁干扰和提升整体性能。
    - 在进行瞬态热阻抗测试时,确保使用适当的冷却方法以保持器件温度在可接受范围内。

    兼容性和支持


    K1083-VB 与多种常见的驱动电路兼容,适用于多种应用场合。厂商提供了详细的技术支持文档,包括安装指南、焊接推荐温度等信息。此外,还设有 24 小时客服热线,为用户提供全面的技术支持和服务保障。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件在高温环境下出现性能下降。
    - 解决方案:优化散热设计,如增加散热片或使用风扇强制散热。
    2. 问题:瞬态过压导致器件损坏。
    - 解决方案:使用合适的瞬态电压抑制二极管或浪涌保护器件进行防护。
    3. 问题:动态 dV/dt 过高引起振铃现象。
    - 解决方案:调整驱动电阻或添加缓冲电路来平滑过渡。

    总结和推荐


    K1083-VB N-Channel 60V MOSFET 展现出了卓越的性能和可靠性,特别适合于对耐温性和动态响应要求较高的应用场景。其出色的隔离性能和广泛的温度范围使得它在众多电力电子应用中成为优选产品。综上所述,我们强烈推荐使用 K1083-VB MOSFET。

K1083-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 45A
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@10V,31mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1083-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1083-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K1083-VB K1083-VB数据手册

K1083-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 32.07
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504