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K6A45DAA4-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: K6A45DAA4-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K6A45DAA4-VB

K6A45DAA4-VB概述

    K6A45DAA4 Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K6A45DAA4 是一款高性能的 N-通道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于服务器、电信电源、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源供应器(PFC)及照明应用(如高强度放电灯(HID)和荧光灯镇流器)。此外,它也适用于工业设备。

    2. 技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS): 650V
    - 最大漏源导通电阻 (RDS(on)): 1Ω @ 25°C, VGS = 10V
    - 最大总栅极电荷 (Qg): 120nC
    - 最大门源电荷 (Qgs): 3.5nC
    - 最大门漏电荷 (Qgd): 8.6nC
    - 持续漏电流 (ID): 10A @ TC = 25°C
    - 脉冲漏电流 (IDM): 45A
    - 最大耗散功率 (PD): 120W
    - 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
    - 绝对最大额定值 (绝对最大脉冲漏电流): 45A

    3. 产品特点和优势


    K6A45DAA4 MOSFET 的关键优势在于其低功耗特性:
    - 低电阻和栅极电荷:Ron x Qg 的低数值表示较低的导通和开关损耗。
    - 低输入电容 (Ciss):有助于减少高频开关电路中的损耗。
    - 减少切换和导通损失:超低栅极电荷 (Qg) 和雪崩能量额定值 (UIS)。
    - 极低的门极电荷:有助于提高整体能效。
    这些特性使 K6A45DAA4 成为需要高效能、高可靠性的应用的理想选择,在电源管理和高效能源转换领域具有显著的竞争优势。

    4. 应用案例和使用建议


    K6A45DAA4 MOSFET 广泛应用于服务器电源、电信设备、SMPS 以及各种工业设备中。由于其高可靠性,非常适合需要长时间稳定运行的应用环境。
    使用建议:
    - 确保应用电路中 MOSFET 的散热设计合理,避免因过热导致失效。
    - 在选择驱动电路时,确保驱动电阻适中,以实现最佳的开关性能。
    - 设计时应考虑 MOSFET 的电容特性,特别是在高频应用中,以减少不必要的损耗。

    5. 兼容性和支持


    K6A45DAA4 与同类 MOSFET 具有良好的兼容性,广泛应用于各类开关电源系统中。VBsemi 提供详尽的技术支持,包括用户手册、应用指南和技术支持热线(400-655-8788),以确保客户能够快速解决问题并充分利用其功能。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 开关频率过快导致过热。
    - 解决方法: 降低开关频率,增加散热措施或使用更高效的散热器。
    - 问题: 长期运行中发现开关损耗过高。
    - 解决方法: 检查驱动电路是否优化,使用更合适型号的 MOSFET 或重新设计电路以减少损耗。
    - 问题: 开启和关闭延迟时间不稳定。
    - 解决方法: 适当调整驱动电阻,确保电源供应稳定,从而优化开启和关闭速度。

    7. 总结和推荐


    K6A45DAA4 MOSFET 是一个高度可靠且高效的产品,特别适合需要高效率、高可靠性的应用环境。鉴于其独特的功能和优势,我们强烈推荐使用此产品,特别是在涉及高功率转换和长寿命要求的应用中。如需技术支持,请联系 VBsemi 官方服务热线 400-655-8788。

    本手册旨在提供有关 K6A45DAA4 MOSFET 的详细信息,供设计师和技术专家参考使用。

K6A45DAA4-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
Id-连续漏极电流 7A
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K6A45DAA4-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K6A45DAA4-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K6A45DAA4-VB K6A45DAA4-VB数据手册

K6A45DAA4-VB封装设计

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