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K6A65D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: K6A65D-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K6A65D-VB

K6A65D-VB概述

    K6A65D Power MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    K6A65D 是一款高电压 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于各种电力系统。它具有低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg),能够有效降低系统的开关损耗和传导损耗,提高整体效率。K6A65D 主要用于服务器和电信电源、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)和照明系统(如高强度放电灯和荧光灯镇流器)等领域。

    技术参数


    - 最大漏源电压(VDS):650 V
    - 最大栅源电压(VGS):±30 V
    - 连续漏电流(TJ = 150 °C):25 A
    - 最大脉冲漏电流(IDM):受限于最大结温
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):97 mJ
    - 最大功耗(PD):100 W
    - 绝对最大结温范围(TJ, Tstg):-55 至 +150 °C
    - 漏源电压斜率(dV/dt):65 V/ns
    - 热阻(RthJA):63 °C/W

    产品特点和优势


    K6A65D 具有以下独特功能和优势:
    - 低导通电阻(RDS(on)):在 VGS = 10 V 下,RDS(on) 最大值为 1 Ω。
    - 低输入电容(Ciss):有助于降低开关损耗。
    - 低栅极电荷(Qg):有助于减少开关时间内的能量损失。
    - 高雪崩耐受能力:能够在高压瞬态条件下保持稳定性能。
    这些特点使得 K6A65D 在高可靠性要求的应用场景中表现出色,例如在高电压、高电流条件下的电力转换系统中。

    应用案例和使用建议


    K6A65D 可以在多种电力系统中应用,例如:
    - 服务器和电信电源:高可靠性的数据中心通常需要高效稳定的电源转换,K6A65D 的高耐压能力和低损耗使其成为理想选择。
    - 工业设备:在工业环境中,K6A65D 可以帮助实现高效的能源转换,同时提供稳定可靠的运行。
    - 照明系统:K6A65D 在照明系统的电源转换中表现出色,特别是对高频和高电流有严格要求的应用。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应注意散热管理,确保器件温度不超过最大工作温度限制。
    - 使用合适的栅极驱动器,确保 VGS 在规定的范围内。
    - 考虑到雪崩能量的要求,在高压瞬态条件下使用时,需注意器件的耐受能力。

    兼容性和支持


    K6A65D 与大多数标准的 SMPS 和 PFC 设计兼容,可以方便地集成到现有的电力转换系统中。VBsemi 提供详尽的技术文档和支持,包括在线技术支持和产品手册,以确保用户能够正确地应用和维护该器件。

    常见问题与解决方案


    - 问题:K6A65D 在高频操作下出现过热
    - 解决方案:增加外部散热片或风扇,改善散热设计,确保器件在安全工作温度范围内。

    - 问题:在高电流应用中发现雪崩现象
    - 解决方案:确认电路设计满足器件的雪崩能量要求,并使用适当的保护措施,如快速熔断器。

    总结和推荐


    K6A65D 以其低损耗、高耐压和高可靠性等特点,成为高性能电力转换应用的理想选择。适用于多种高要求的电力系统,如服务器、电信电源和工业设备等。对于需要高效率和高可靠性的应用场合,强烈推荐使用 K6A65D。此外,VBsemi 提供全面的技术支持,有助于用户快速部署和优化系统。

K6A65D-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 7A
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K6A65D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K6A65D-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K6A65D-VB K6A65D-VB数据手册

K6A65D-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.1487
100+ ¥ 2.9155
500+ ¥ 2.7989
1000+ ¥ 2.6823
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