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UT4411G-S08-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-30V,-7A,RDS(ON),23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V,20Vgs(±V);-1.37Vth(V) 封装:SOP8\n用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中,其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。
供应商型号: UT4411G-S08-R-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT4411G-S08-R-VB

UT4411G-S08-R-VB概述

    UT4411G-S08-R P-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    UT4411G-S08-R是一款高性能的P沟道30V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的TrenchFET®技术制造,具有低导通电阻和高可靠性等特点。它主要应用于负载开关和电池切换等领域,是电源管理和控制的理想选择。

    技术参数


    - 基本参数:
    - 漏源电压 (VDS):30V
    - 持续漏电流 (ID):9.0A (TC = 25°C)
    - 脉冲漏电流 (IDM):30A
    - 最大功率耗散 (PD):4.2W (TC = 25°C)
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - 在VGS = -10V时为0.018Ω (ID = -7.0A)
    - 在VGS = -4.5V时为0.024Ω (ID = -5.6A)
    - 电气特性:
    - 阈值电压 (VGS(th)):-1.0V 至 -2.5V
    - 输入电容 (Ciss):1455pF (VDS = -15V, VGS = 0V, f = 1MHz)
    - 输出电容 (Coss):180pF
    - 反向传输电容 (Crss):145pF
    - 热阻抗:
    - 最大结到环境的热阻 (RthJA):40°C/W (稳态)
    - 最大结到脚的热阻 (RthJF):24°C/W (稳态)

    产品特点和优势


    - 高可靠性:100% Rg测试保证了产品的可靠性。
    - 低导通电阻:导通电阻低至0.018Ω (VGS = -10V),可有效减少功耗。
    - 快速响应:门极充电量小,响应速度快。
    - 环保材料:符合IEC 61249-2-21标准,不含卤素。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 负载开关:用于需要频繁接通和断开的场合,如电机控制。
    - 电池开关:适用于需要保护电池的应用,例如电池管理系统。
    - 使用建议:
    - 确保在合适的工作温度范围内使用,以防止过热导致器件损坏。
    - 使用散热片或其他散热措施来提高热稳定性,特别是在大电流条件下。
    - 注意避免过压,使用时确保VDS不超过额定值30V。

    兼容性和支持


    - 兼容性:UT4411G-S08-R采用标准SO-8封装,与市场上常见的电路板设计兼容。
    - 技术支持:提供全方位的技术支持,包括电话咨询(400-655-8788)和在线文档支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:过热保护不足导致器件损坏。
    - 解决方案:添加散热片或风扇来增加散热能力。

    - 问题2:漏电流过大。
    - 解决方案:检查门极驱动信号是否正确,并确认门极电阻设置是否合理。
    - 问题3:无法正常关断。
    - 解决方案:确认门极电压是否达到阈值,调整门极驱动电压或电阻。

    总结和推荐


    UT4411G-S08-R P沟道MOSFET是一款高性能、高可靠性的器件,适用于多种电力管理应用。其低导通电阻、快速响应时间和良好的热稳定性使其成为理想的选择。我们强烈推荐这款产品,尤其是对于需要高效能和稳定性的应用场合。

UT4411G-S08-R-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.37V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 7A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
栅极电荷 -
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 23mΩ@10V,29mΩ@4.5V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT4411G-S08-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT4411G-S08-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT4411G-S08-R-VB UT4411G-S08-R-VB数据手册

UT4411G-S08-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ ¥ 1.2635
100+ ¥ 1.1699
500+ ¥ 1.1231
4000+ ¥ 1.0763
库存: 400000
起订量: 25 增量: 4000
交货地:
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合计: ¥ 31.58
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型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
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