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WFP2N60-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N型功率MOSFET,具有高性能和可靠性。该产品适用于各种功率电子应用,提供可靠的电气特性和稳定的性能。\nN沟道,650V,2A,RDS(ON),3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: WFP2N60-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WFP2N60-VB

WFP2N60-VB概述

    WFP2N60 N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    WFP2N60 是一款 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有高击穿电压(650V)和低导通电阻(4.0Ω @ VGS = 10V)。此器件广泛应用于电源转换、电机控制、照明系统及电动汽车等领域。它凭借出色的性能和耐用性,成为多种工业和消费电子设备的理想选择。

    2. 技术参数


    - 基本规格
    - 击穿电压 VDS:650V
    - 导通电阻 RDS(on):4.0Ω @ VGS = 10V
    - 栅极电荷 Qg(max):11nC
    - 阈值电压 VGS(th):2.0V 至 4.0V
    - 绝对最大额定值
    - 栅源电压 VGS:±30V
    - 连续漏极电流 ID:25A @ TC = 25°C
    - 脉冲漏极电流 IDM:8A
    - 最大功耗 PD:45W @ TC = 25°C
    - 最大热阻 RthJA:65°C/W
    - 最大热阻 RthJC:2.1°C/W
    - 电气特性
    - 输入电容 Ciss:417pF
    - 输出电容 Coss:45pF
    - 反向传输电容 Crss:5pF
    - 转导系数 gfs:3.9S
    - 最大栅极电荷 Qg:11nC
    - 开启延时时间 td(on):14ns

    3. 产品特点和优势


    WFP2N60 具有多项独特功能,使其在市场上脱颖而出:
    - 低栅极电荷:简化驱动要求,降低功耗。
    - 增强型栅极、雪崩及动态 dv/dt 耐压性:提高可靠性。
    - 全面的电容和雪崩特性表征:确保一致性和可预测性。
    - 符合 RoHS 规范:环保材料,安全可靠。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电源转换:用于高电压开关电源设计,提供高效能和低损耗。
    - 电机控制:适用于工业电机驱动系统,保证稳定性和高效率。
    - 照明系统:利用其高耐压能力和低导通电阻,实现更高效的 LED 驱动。
    - 电动汽车:适合用于牵引逆变器和其他高压电力系统。
    使用建议:
    - 确保散热片安装稳固,避免过热。
    - 注意栅极驱动电阻的选取,以减少开关损耗。
    - 在电路布局中,尽量减少寄生电感和漏电现象。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与大多数标准栅极驱动器兼容。
    - 支持和维护:VBsemi 提供详尽的技术文档和支持服务,涵盖安装指南、应用笔记和常见问题解答。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:栅极电压不稳定导致 MOSFET 无法正常工作。
    - 解决方案:检查栅极驱动器配置,确保电压范围在规定范围内。
    - 问题:漏极电流超出限制导致损坏。
    - 解决方案:增加外部限流电阻或调整负载条件。
    - 问题:温度过高引起过载。
    - 解决方案:改善散热设计或采用更高功率等级的器件。

    7. 总结和推荐


    WFP2N60 N-Channel MOSFET 是一款高性能且可靠的器件,特别适合于高电压和高频率应用。它的低栅极电荷和高雪崩耐受性使其成为电源转换和电机控制领域的首选。此外,VBsemi 的全面支持和文档资料也为用户提供了极大的便利。我们强烈推荐 WFP2N60 在上述应用场合中使用。

WFP2N60-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 2A
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

WFP2N60-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WFP2N60-VB数据手册

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WFP2N60-VB封装设计

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