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K4118LS-S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F 一款Single N场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
供应商型号: K4118LS-S-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4118LS-S-VB

K4118LS-S-VB概述

    K4118LS-S-VB N-Channel 550V Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K4118LS-S-VB 是一款高性能的 N-Channel 550V 功率 MOSFET,主要应用于消费电子、服务器和电信电源供应系统、工业焊接和感应加热等领域。这款 MOSFET 具备低面积特定导通电阻(RDS(on))、低输入电容(Ciss)和降低的容性开关损耗等特点,使其成为高效能和快速开关的理想选择。

    2. 技术参数


    - 额定电压 (VDS):550V
    - 导通电阻 (RDS(on)):在 25°C 时为 0.26Ω(在 VGS=10V 下)
    - 最大总栅极电荷 (Qg max.):150nC
    - 栅源电荷 (Qgs):12nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):25nC
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS):550V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏电流 (ID):在 TJ=150°C 时为 18A(VGS=10V 时)
    - 脉冲漏电流 (IDM):56A
    - 最大功率耗散 (PD):60W
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 至 +150°C
    - 热阻抗:
    - 结到环境 (RthJA):40°C/W
    - 结到外壳 (RthJC):0.45°C/W
    - 其他关键参数:
    - 反向恢复时间 (trr):437ns(在 TJ=25°C 时)
    - 反向恢复电荷 (Qrr):5.9μC
    - 反向恢复峰值电流 (IRRM):25A

    3. 产品特点和优势


    K4118LS-S-VB 具有以下独特功能和优势:
    - 低面积特定导通电阻:降低了损耗,提高了效率。
    - 低输入电容:减少了开关过程中的电容充电损耗。
    - 高体二极管坚固性:增强了设备的耐用性。
    - 低成本:简单易用的设计降低了整体成本。
    - 快速开关:适合高频应用,如电机驱动和电池充电。
    - 高雪崩能量评级:可承受更高的瞬态电压冲击。

    4. 应用案例和使用建议


    K4118LS-S-VB 主要用于以下应用:
    - 消费电子:例如液晶或等离子电视显示器。
    - 服务器和电信电源供应:用于开关模式电源供应(SMPS)。
    - 工业应用:包括焊接、感应加热和电机驱动。
    - 电池充电器:尤其适用于大功率设备。
    - SMPS 和功率因数校正 (PFC):实现高效的电源转换。
    使用建议:
    - 确保适当的散热管理以避免过热。
    - 在高电流应用中,确保电路板布局能够有效减少寄生电感。
    - 使用与测试设备相同的驱动器进行测试,以获得更准确的结果。

    5. 兼容性和支持


    K4118LS-S-VB 具有良好的兼容性,可以与其他常见的 MOSFET 驱动器和电路板组件配合使用。制造商提供了详尽的技术支持和维护文档,客户可以联系服务热线 400-655-8788 获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    - 问题:过高的漏电流导致设备损坏
    - 解决方案:检查电路设计,确保适当的电流限制措施,如使用合适的保护二极管。
    - 问题:高温环境下性能下降
    - 解决方案:增加散热措施,如使用散热片或散热风扇,确保设备在安全的工作温度范围内运行。
    - 问题:反向恢复峰值电流过高
    - 解决方案:选择合适的外部二极管来吸收反向恢复电流,或使用带有内置保护机制的 MOSFET。

    7. 总结和推荐


    K4118LS-S-VB N-Channel 550V 功率 MOSFET 是一款高性能的产品,具备多种独特功能和优势。它在消费电子、工业和电信领域的广泛应用证明了其可靠性和效率。鉴于其优异的性能和广泛的适用性,我们强烈推荐该产品用于需要高性能和高效率的电子应用。

K4118LS-S-VB参数

参数
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 18A
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 550V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K4118LS-S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4118LS-S-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K4118LS-S-VB K4118LS-S-VB数据手册

K4118LS-S-VB封装设计

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