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K3362-01-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n60V,60A,RDS(ON),11mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO220\n一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
供应商型号: K3362-01-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3362-01-VB

K3362-01-VB概述

    K3362-01-VB N-Channel 60-V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    K3362-01-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种MOSFET被广泛应用于开关电源、电机驱动、电池管理和便携式电子产品等领域。它的核心优势在于其高耐温特性和高效的电学性能,使其能够满足现代电力电子设备对高性能和高可靠性的需求。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 漏极连续电流 (TC = 25°C): 60A (100°C时为50A)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 200A
    - 漏极雪崩电流 (IAS): 50A
    - 单次雪崩能量 (D = 0.1mH): 125mJ
    - 最大功率耗散 (TC = 25°C): 136W
    - 热阻参数:
    - 最大结到环境热阻 (RthJA): 15至18°C/W (暂态状态下为15°C/W,稳态下为40°C/W)
    - 最大结到外壳热阻 (RthJC): 0.85至1.1°C/W
    - 关键特性:
    - 通道类型: N沟道
    - 最大结温 (TJ): 175°C
    - 热阻参数: 高效散热设计

    3. 产品特点和优势


    - 高耐温特性: K3362-01-VB能够在高达175°C的结温条件下正常工作,适合高温环境下的应用。
    - 低导通电阻 (RDS(on)): 在10V栅源电压 (VGS) 下,漏极电流为60A时,导通电阻仅为0.011Ω,保证了高效能。
    - 高可靠性: 采用TrenchFET®技术,提高器件的整体稳定性和耐用性。
    - 紧凑型封装: TO-220AB封装,便于集成和安装。

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关电源: 用于高压侧或低压侧的开关,可以有效地降低功耗。
    - 电机驱动: 提供强大的电流驱动能力,适用于各种电机控制场合。
    - 电池管理系统: 高耐温特性使其适用于极端温度条件下的电池管理应用。
    使用建议:
    - 在使用过程中应注意散热设计,确保设备工作温度不超过175°C。
    - 针对高电流应用,可采用并联的方式以减少单个器件的负载。
    - 对于高温环境的应用,选择适当的热管理策略,如增加散热片或风扇冷却系统。

    5. 兼容性和支持


    - K3362-01-VB 可与大多数标准TO-220AB插座兼容。
    - VBsemi公司提供详尽的技术支持和售后服务,包括应用指南和技术文档。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 在高温环境下工作,器件性能会受到影响吗?
    - A: 不会。K3362-01-VB具有高达175°C的结温,能够稳定工作于高温环境。

    - Q: 如何避免过热保护导致的关机?
    - A: 通过有效的散热设计,如增加散热片、使用风扇等,来降低器件的工作温度。

    - Q: 需要特别注意哪些参数来确保长期稳定性?
    - A: 注意保持适当的栅源电压和避免超出绝对最大额定值。

    7. 总结和推荐


    K3362-01-VB N-Channel 60-V MOSFET以其卓越的耐温特性、高效的电学性能和坚固的设计赢得了广泛的应用。它不仅适用于各类工业和消费电子产品,还能够提供良好的可靠性和稳定性。强烈推荐在需要高效电力转换和处理的场合使用此款MOSFET。
    对于那些寻求高性能、高可靠性和易于集成的解决方案的企业和个人来说,K3362-01-VB无疑是最佳的选择。

K3362-01-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 60A
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@10V,13mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3362-01-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3362-01-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3362-01-VB K3362-01-VB数据手册

K3362-01-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 2.5919
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